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本发明的目的在于提供可实现基板的加热处理的低温化、所形成的金属氧化膜的种类不受限制、且可形成电阻值低的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。本发明的金属氧化膜的成膜方法包括：(A)使含金属的溶液(4、8)雾化的工序；(B)对基板(2)加热的工序...
该专利属于东芝三菱电机产业系统株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝三菱电机产业系统株式会社授权不得商用。

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