电平移位输出电路和使用其的等离子体显示设备制造技术

本发明专利技术涉及电平移位输出电路和使用其的等离子体显示设备。电平移位输出电路包括：电平移位器，被连接在提供第一电压的第一电源和提供低于第一电压的第二电压的第二电源之间，并且响应于第一输入信号输出第一输出信号，并且响应于与第一输入信号互补的第二输入信号输出与第一输出信号互补的第二输出信号。多个高击穿电压逆变器被连接在第一电源和第二电源之间，并且响应于第一控制信号和第一输出信号输出第三输出信号，并且响应于与第一控制信号互补的第二控制信号和第二输出信号输出与第三输出信号互补的第四输出信号。多个Ｐ型晶体管被连接在第一电源和电源输出节点之间，并且响应于第四输出信号将第一电压分别提供给电源输出节点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电平移位输出电路，该电平移位输出电路执行对高击穿电压P型 MOSFET的导通/截止控制。
技术介绍
在典型的电平移位输出电路中，电平移位器和高击穿电压逆变器被用于执行对高 击穿电压P型MOSFET的导通/截止控制。电平移位器包括第一和第二 P型MOSFET或者晶体管以及第一和第二 N型晶体管。 高击穿电压逆变器包括P型晶体管和N型晶体管。在电平移位器中，假定第一和第二 P型晶体管被连接至第一电源电压。第一 N型 晶体管被连接在第二 P型晶体管的栅极、第一 P型晶体管和第二电源电压之间，并且输入信 号被提供给其栅极。第二 N型晶体管被连接在第一 P型晶体管的栅极、第二 P型晶体管以 及高击穿电压逆变器的P型晶体管的栅极和第二电源NGND之间，并且输入信号被提供给其 栅极。高击穿电压逆变器的P型晶体管被连接在第一电源和第三开关SW3的栅极之间。 高击穿电压逆变器的N型晶体管被连接在开关的输入(高击穿电压P型晶体管的栅极)和 第二电源之间。即，高击穿电压逆变器的输出被连接至开关的输入。取决于应用，要求高击穿电压P型晶体管具有高击穿电压(近似于60V至100V) 和高电流容量(近似于几A至10A)。因此，假如在用于测试开关特性的步骤中由于对检测 设备的限制，充分的电流不能流动，缺陷的检测率将会被降低。如上所述，普通的电平移位输出电路包括电平移位器、高击穿电压逆变器以及开 关。相反地，在专利文献1中描述的电平移位输出电路包括两个电平移位器、两个高击穿电 压逆变器以及两个开关(高击穿电压P型晶体管)。在专利文献1中描述的技术中，电平移位输出电路包括第一组，该第一包括第一 电平移位器、第一高击穿电压逆变器以及第一开关；和第二组，该第二组包括第二电平移位 器、第二高击穿电压逆变器以及第二开关。第一和第二开关共享输出。因此，相互独立地控 制第一和第二组中的每一个并且并行地布置两个高击穿电压P型晶体管，因此电流容量被 分散。引用列表 JP-A-Heisei 6-204847
技术实现思路
与低击穿电压晶体管相比较，高击穿电压晶体管通常具有大的元件尺寸使得芯片 面积大。在专利文献1中描述的技术中，由于布置两个电平移位器和两个高击穿电压逆变 器增加了芯片面积。另外，随着电平移位器的数目增加，电力消耗量增加。因此，在专利文献1中描述的技术中，即使电流被分散到高击穿电压P型晶体管，芯片面积和电力消耗量也增加。本专利技术的主题是为了提供电平移位输出电路、高击穿电压晶体管控制电路、电力 回收电路以及等离子体显示设备，其中与传统的技术中的面积的增加相比较，由于电平移 位器引起的面积的增加较小。在本专利技术的方面中，电平移位输出电路包括电平移位器，该电平移位器被连接在 提供第一电压的第一电源和提供低于第一电压的第二电压的第二电源之间，并且被构造为 响应于第一输入信号输出第一输出信号，并且响应于与第一输入信号互补的第二输入信号 输出与第一输出信号互补的第二输出信号；多个高击穿电压逆变器，所述多个高击穿电压 逆变器被连接在第一电源和第二电源之间，并且被构造为响应于第一控制信号和来自于电 平移位器的第一输出信号输出第三输出信号并且响应于与第一控制信号互补的第二控制 信号和来自于电平移位器的第二输出信号输出与第三输出信号互补的第四输出信号；以及 多个P型晶体管，所述多个P型晶体管被连接在第一电源和电源输出节点之间，并且被构造 为响应于来自于所述多个高击穿电压逆变器的第四输出信号将第一电压分别提供给电源 输出节点。在本专利技术的另一方面中，高击穿电压晶体管控制电路包括上面的电平移位输出 电路；和输入信号处理电路，该输入信号处理电路被构造为在第一模式下执行将第一输入 信号输出到电平移位输出电路中的电平移位器和将第一控制信号输出到电平移位输出电 路中的多个高击穿电压逆变器的处理，并且在第二模式下执行将第二输入信号输出到电平 移位器并且将第二控制信号输出到多个高击穿电压逆变器的处理。在本专利技术的又一方面中，电力回收电路包括上述电平移位输出电路；电力回收 电容元件，该电力回收电容元件被连接在第一节点和第二电源之间；电感元件，该电感元件 被连接在第二节点和电源输出节点之间；第一二极管，该第一二极管具有阳极和与第二节 点相连接的阴极；第二二极管，该第二二极管具有阴极和与第二节点相连接的阳极；第一 开关，该第一开关被连接在电源输出节点和第二电源之间；第二开关，该第二开关被连接在 第一节点和第一二极管的阳极之间；第三开关，该第三开关被连接在第一电源和电源输出 节点之间，作为电平移位输出电路中的多个高击穿电压P型晶体管；第四开关，该第四开关 被连接在第一节点和第二二极管的阴极之间；以及输入信号处理电路，该输入信号处理电 路与第一至第四开关相连接并且被构造为按照此顺序导通第一至第四开关。被提供给电源 输出节点的电压被用作高击穿电压缓冲器的电源电压，并且电容元件通过数据电极与高击 穿电压缓冲器的输出相连接。当第一开关被导通时，电荷被积累在电力回收电容元件中。当 第二开关被导通时，被积累在电力回收电容元件中的电荷通过第二开关、第一二极管、电感 元件、电源输出节点、以及高击穿电压缓冲器被提供给电容元件。当第三开关被导通时，第 一电压被提供给电源输出节点。当第四开关被导通时，通过高击穿电压缓冲器、电源输出节 点、电感元件、第二二极管、第四开关由电力回收电容元件积累在电容元件中积累的电荷。在本专利技术的又一方面中，等离子体显示设备包括上述电力回收电路；多个扫描 电极和多个维持电极的多对放电电极；多个数据电极，所述多个数据电极被提供以与所述 多对放电电极相对，以形成作为多对放电电极和多个数据电极的交叉点处的多个电容元件 的多个显示单元；以及扫描驱动器，该扫描驱动器被构造为驱动多个扫描电极；维持驱动 器，该维持驱动器被构造为驱动多个维持电极；以及数据驱动器，该数据驱动器被构造为驱动多个数据电极。数据驱动器包括输出控制电路，该输出控制电路被构造为在地址时段将 视频图像转换为数据脉冲电压；多个电平移位电路，所述多个电平移位电路被提供分别用 于多个数据电极以将数据脉冲电压的电压电平转换为多个显示单元中的写入电平；以及多 个高击穿电压缓冲器，所述多个高击穿电压缓冲器被提供分别用于多个数据电极以将来自 于多个电平移位电路的数据脉冲电压输出到多个数据电极。电力回收电路的输出被用于多 个电平移位电路和多个高击穿电压缓冲器的电力。如上所述，在本专利技术中，与传统的技术中的面积的增加相比较，由于电平移位器的 面积的增加较小。另外，根据本专利技术的电平移位输出电路，没有在电平移位器中消耗的电力的增加。 附图说明结合附图，根据某些实施例的以下描述，本专利技术的以上和其它方面、优点和特征将 更加明显，其中图1是示出应用根据本专利技术的实施例的电平移位输出电路的等离子体显示设备 的构造的框图；图2是示出图1中的数据驱动器的构造的框图；图3是示出图2中的高击穿电压缓冲器和电平移位电路的构造的电路图；图4示出等离子体显示设备的操作中的时序图；图5是示出图1中的电力回收电路的构造的框图；图6示出图5中的电力回收电路的操作的时序图；图7是示出图5中的电路的具体示例的框图；图8是示出普通电平移位输出电路的构造的电路图；图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电平移位输出电路，包括：电平移位器，所述电平移位器被连接在提供第一电压的第一电源和提供低于所述第一电压的第二电压的第二电源之间，并且被构造为响应于第一输入信号而输出第一输出信号，并且响应于与所述第一输入信号互补的第二输入信号而输出与所述第一输出信号互补的第二输出信号；多个高击穿电压逆变器，所述多个高击穿电压逆变器被连接在所述第一电源和所述第二电源之间，并且被构造为响应于第一控制信号和来自于所述电平移位器的所述第一输出信号而输出第三输出信号，并且响应于与所述第一控制信号互补的第二控制信号和来自于所述电平移位器的所述第二输出信号而输出与所述第三输出信号互补的第四输出信号；以及多个Ｐ型晶体管，所述多个Ｐ型晶体管被连接在所述第一电源和电源输出节点之间，并且被构造为响应于来自于所述多个高击穿电压逆变器的所述第四输出信号而将所述第一电压分别提供给所述电源输出节点。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高杉一成，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]