【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，更具体地涉及半导体装置中的泵浦电压(pumping voltage)的产生。
技术介绍
通常，半导体装置对用作电源的外部电压进行升压，产生高电压，并在内部电路 中使用所产生的高电压。为此目的，半导体装置具有电压泵浦电路(voltage pumping circuit)，用于由外部电压来产生高电压。由泵浦电路产生的高电压被称为泵浦电压。图1是现有的泵浦电路的结构的示意图。参见图1，现有的泵浦电路包括电压检测 单元10、振荡器20、分割单元30(split unit)、和电压泵(vol tag印ump) 40。电压检测单元 10将泵浦电压VPP的电平与基准电压Vref的电平进行比较，并产生使能信号0SCEN。当使 能信号OSCEN被使能时，振荡器20产生周期信号0SCPRE。分割单元30将周期信号OSCPRE 分割为多个泵控制信号(pump control signal) OSCXl :n>。电压泵40包括多个泵，并响应 于分割单元30所产生的多个泵控制信号0SCX1 :n>执行泵浦操作(pumping operation)。 ...
【技术保护点】
１．一种半导体装置，包括：多个泵控制单元，所述多个泵控制单元分别位于多个芯片中并通过第一贯穿硅通孔、即第一ＴＳＶ串联连接，并被配置为将周期信号顺序地延迟、传送延迟周期信号、并基于所述周期信号或所述延迟周期信号来产生泵控制信号；以及多个电压泵单元，所述多个电压泵单元分别位于所述多个芯片中，并被配置为响应于从所述多个泵控制单元产生的所述泵控制信号来产生泵浦电压。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈伸显，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。