发光器件和发光器件封装制造技术

本发明专利技术提供发光器件和包括所述发光器件的发光器件封装。所述发光器件可包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；置于所述发光结构上的第一电极，所述第一电极包括图案；和置于所述第一电极上的垫电极。

【技术实现步骤摘要】

本文公开了一种发光器件和发光器件封装。
技术介绍
发光器件是已知的。然而，它们具有多种缺点。
技术实现思路
本专利技术的一个实施方案涉及一种发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、置于所述第一导电型半导体层上的有源层和置于所述有源层上的第二导电型半导体层；置于所述发光结构上的第一电极，所述第一电极包括图案；和置于所述第一电极上的垫电极。本专利技术的另一个实施方案涉及一种发光器件封装，其包括发光器件，所述发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层，置于所述第一导电型半导体层上的有源层和置于所述有源层上的第二导电型半导体层；置于所述发光结构上的第一电极，所述第一电极包括图案；和置于所述第一电极上的垫电极。附图说明将参考以下附图详细描述实施方案，其中相同附图标记表示相同元件，其中：图1是根据一个实施方案的发光器件的剖面图；图2是根据一个实施方案的发光器件的平面图和局部放大图；图3是说明根据一个实施方案的发光器件的光提取效率的图表；图4至7是说明制造根据一个实施方案的发光器件的方法的剖面图；图8是根据另一个实施方案的发光器件的平面图和局部放大图；和图9是根据实施方案的发光器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、置于所述第一导电型半导体层上的有源层和置于所述有源层上的第二导电型半导体层；置于所述发光结构上的第一电极，所述第一电极包括图案；和置于所述第一电极上的垫电极。

【技术特征摘要】
2009.09.23 KR 10-2009-00899021.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、置于所述第一导电型半导体层上的有源层和置于所述有源层上的第二导电型半导体层；置于所述发光结构上的第一电极，所述第一电极包括图案；和置于所述第一电极上的垫电极。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案在所述第一电极中形成。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案具有恒定周期。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案具有不规则周期。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括第一欧姆层。6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一电极包括透明第一欧姆层。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述透明第一欧姆层具有约20nm以下的厚度。8.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一欧姆层由铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、金(Au)或钛(Ti)中的至少一种形成。9.根据权利要求1所述的发光器件，还包括置于所述发光结构之下的第二电极。10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二电极包括：第二欧姆层；和导电衬底。11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述衬底包括钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)、铜(Cu)、Cu合金、Si、钼(Mo)、SiGe、Ge、Ga2O3或GaN中的至少一种。12.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：金鲜京，李镇旭，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR