LED chip, the invention discloses a uniform current distribution, including the N type semiconductor layer, a light-emitting layer formed on the N type semiconductor layer; P type semiconductor layer is formed on the luminescent layer and the P type semiconductor layer is formed on the surface of the groove and the N type semiconductor layer is connected to the positive electrode negative electrode is formed in the trench and formed in the P type semiconductor layer, which is characterized in that the trench is a symmetrical \E\ shaped groove, wherein the symmetrical \E\ shaped groove with the N type semiconductor layer, the negative electrode is arranged on the symmetrical \E\ shaped groove the corresponding form symmetrical \E\ shape of the negative electrode, the positive electrode surrounding the negative electrode shape in the symmetrical \E\. The invention has the advantages of uniform heat dissipation, high light extraction efficiency, long service life, etc..
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED晶片，尤其是涉及一种电流均勻分布的LED晶片。
技术介绍
发光二极管是对位于P-N结处的有源层注入电流，通过电子和空穴的辐射复合发 光。发射光的波长由有源区材料的禁带宽度来决定的。在传播方面，其主要特性之一是半 导体发光二极管发光属于自发辐射发光，发出的光向空间各个方向传播的几率是相等的。 其主要特性之二是半导体材料的折射率比较大，所发出的光都是由光密介质(如GaN)出 射进入光疏介质(空气)，这样必然存在光的全反射现象，限制了光的输出。如GaN材料对 于蓝光波段G50-480nm)，折射率为η = 2.5。目前普遍采用的GaN基发光二极管，其六个 面的出射角，据此可以算出，光的全反射角为23. 6度，出光效率大约为4%。特别是对于功 率型LED，晶片尺寸由原来的0. 3 X 0. 3mm扩大到1 X Imm,甚至向更大尺寸发展，从而使得出 光效率更低。目前普遍使用的功率型晶片结构，主要为插指型结构，如图5所示。由于其电 极呈交错结构，如果制作时稍有偏差，使其交错结构不够均勻就会导致电流扩散不充分，造 成发光不均勻，而且出光面积小，存在全...
【技术保护点】
１．一种电流均匀分布的ＬＥＤ晶片，包括Ｎ型半导体层，形成于Ｎ型半导体层上的发光层，形成于发光层上的Ｐ型半导体层，所述Ｐ型半导体层表面设置有与Ｎ型半导体层连通的沟槽，形成于所述沟槽的负电极以及形成于Ｐ型半导体层的正电极，其特征在于：所述沟槽为一对称的“Ｅ”形沟槽，所述对称的“Ｅ”形沟槽布满所述Ｎ型半导体层上，所述负电极设置在所述对称的“Ｅ”形沟槽上对应形成对称的“Ｅ”形负电极，所述正电极环绕在所述对称的“Ｅ”形负电极的周围。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：樊邦扬，
申请(专利权)人：广东银雨芯片半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：44
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