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本发明公开了一种电流均匀分布的LED晶片,包括N型半导体层,形成于N型半导体层上的发光层;形成于发光层上的P型半导体层,所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽,形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极,其特征在于,所...该专利属于广东银雨芯片半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广东银雨芯片半导体有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种电流均匀分布的LED晶片,包括N型半导体层,形成于N型半导体层上的发光层;形成于发光层上的P型半导体层,所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽,形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极,其特征在于,所...