本发明公开了一种石墨烯电极的LED晶片及其制作方法，包括：N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层；形成于发光层上的P型半导体层；在N型半导体层上通过刻蚀形成的沟槽；在P型半导体层形成的正电极以及在沟槽上形成的负电极；其中，所述正电极...

本发明公开了一种高压交流LED晶片模块制作方法，首先在衬底上沉积绝缘层，利用蚀刻工艺在衬底上形成外延生长区和由绝缘层形成的隔离墙；在的外延生长区生长出半导体层；去除隔离墙形成隔离区，通过隔离区形成多颗的LED晶粒；在每颗LED晶粒的表面...

本发明提供了一种改进的具有电流阻挡层的LED芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该LED芯片包括N型半导体层、发光层和P型半导体层的层叠结构以及透明导电层、形成于透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，在P型半导体层上P型...

本实用新型公开的一种大功率LED封装结构，包括硅胶透镜、基座、安装固定在基座内的导电脚和导热座，在所述导热座的杯碗内固定着发光芯片，所述发光芯片通过焊线电连接至所述导电脚，所述基座与导热座间形成一环形槽，所述硅胶透镜覆盖住发光芯片并固定...

本发明公开了一种LED的封装工艺，首先将芯片固定在电极支架上，然后焊线使芯片与电极支架按极性配合电连接，接下来将电极支架放入预制的模具中，最后向模具中注入环氧树脂使其包裹芯片以及部分电极支架，所述环氧树脂包括A组份与B组份，所述的A组份...

本实用新型提供了一种具有反射型电流阻挡层的LED芯片，包括N型半导体层、形成在N型半导体层上的发光层、形成在发光层上的P型半导体层、形成在P型半导体层上的透明导电层、形成在透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，在P型半导体...

本实用新型公开了一种高压交流LED晶片模块，包括衬底，形成于衬底正面的半导体层，所述半导体层包括依次形成于衬底正面的缓冲层、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其特征在于，所述半导体层形成有隔离区，所述半导体层由隔离区隔开形成多颗LE...

本实用新型公开了一种SMD发光二极管支架及采用该支架的LED，包括支架、LED芯片及封装胶，所述支架包括正、负极导电脚以及固定正、负极导电脚的塑胶座，所述塑胶座内设置有一开口的封装腔，部分正、负极导电脚外露在所述封装腔内，其特征在于，所...

本实用新型提供了一种改进的具有电流阻挡层的发光二极管芯片，属于半导体技术领域。该LED芯片包括N型半导体层、发光层和P型半导体层的层叠结构以及透明导电层、形成于透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极，在P型半导体层上P型电极...

本实用新型公开了一种防漏电的LED晶片，包括半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层以及在所述N型半导体层、P型半导体层和发光层内形成的晶体间隙，其特征在于，在所述晶体间隙内设置有绝缘物质。由于在半导体层的表面形成一...

本实用新型公开了一种电流均匀分布的LED晶片，包括N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层；形成于发光层上的P型半导体层，所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽，形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极，其特征...

本实用新型提供一种图形化衬底的结构以及发光二极管芯片，该衬底上镀有一层图形化的粗化结构。本实用新型相对于现有技术中刻蚀衬底的结构，具有不会损伤衬底、不需要专业的干法、湿法刻蚀设备的优点，可大幅度节约生产成本，提高生产效率，有效地避免衬底...

本实用新型公开了一种高出光效率的LED晶片，包括衬底，形成于衬底正面的半导体层，所述半导体层包括依次形成于衬底正面的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其特征在于，所述衬底为倒梯台形状，倒梯台衬底的侧边与垂直方向形成的夹角为30～45...

本实用新型公开了一种LED晶片的封装焊线结构及LED晶片，包括支架，所述支架包括第一支脚和第二支脚，设置在所述第二支脚上的杯碗，固定在所述杯碗内的LED晶片，用于连接LED晶片与第一支脚的第一金线，所述第一金线包括球形端和鱼尾端，所述第...

本发明提供一种图形化衬底的工艺及其结构以及发光二极管芯片，其工艺包括如下步骤：步骤一、在用于生长半导体外延片的蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；步骤二、通过曝光显影将光刻胶构图；步骤三、通过电子束蒸发台蒸镀或磁控溅射机台在光刻胶构图层上溅镀一...

本发明公开了一种电流均匀分布的LED晶片，包括N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层；形成于发光层上的P型半导体层，所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽，形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极，其特征在于...

本发明公开了一种高出光效率的LED晶片及其制造方法，包括衬底，形成于衬底正面的半导体层，所述半导体层包括依次形成于衬底正面的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其特征在于，所述衬底为倒梯台形状，倒梯台衬底的侧边与垂直方向形成的夹角为3...

本发明公开了一种防漏电的LED晶片及其制造方法，制造方法包括以下步骤，(a)在衬底上生长半导体层，半导体层包括依次在衬底上生长的N型半导体层、发光层和P型半导体层；(b)在半导体层的表面形成一层绝缘层，所述绝缘层的绝缘物质渗透到半导体层...