一种高压交流LED晶片模块制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高压交流LED晶片模块制作方法，首先在衬底上沉积绝缘层，利用蚀刻工艺在衬底上形成外延生长区和由绝缘层形成的隔离墙；在的外延生长区生长出半导体层；去除隔离墙形成隔离区，通过隔离区形成多颗的LED晶粒；在每颗LED晶粒的表面局部形成凹形台面，使部分N型半导体层露出凹形台面；半导体层表面及隔离区沉积保护层；蚀刻保护层形成安装区并制作P/N电极，通过导电线路连接形成串联或/和并联的LED晶片模块；将外延片切割、研磨、精抛光；最后采用裂片机将每块LED晶片模块进行裂片。本发明专利技术制造工艺具有易量产的特点，同时，采用本发明专利技术制造工艺制造出来的产品还具有良率高、成本低及使用寿命长的优点。

【技术实现步骤摘要】
—种高压交流LED晶片模块制作方法
本专利技术涉及一种LED晶片模块制造方法，尤其是涉及一种高压交流LED晶片模块制作方法。
技术介绍
AC LED是一类集成了各种处理技术的LED产品，它包括多种器件或内核，无需额外的变压器、整流器或驱动电路，交流电网的交流电就可直接对其进行驱动。这使得LED产品无需变流器就可以直接应用于家居及办公室交流电器插头(100-110伏特/220-230伏特)，不仅显著降低电路成本，也避免了电源变换过程中损失的能耗。AC LED的双向导通模式避免了静电放电问题。台湾公司开发高压HV-LED采用单芯片设计，通过配置可降低驱动电流且可将发 光芯料进行更广泛的分布以获得更高发光效率。单片结构还把电光转换效率(wall plugefficiency)提高了 10 %,另外，也减少了所需的线绑定、简化了封装、降低了整体成本。AC-LED和HV-LED可以定制芯片尺寸和器件或内核数量，而其大批量制造流程也与标准直流驱动的LED兼容。器件内核之间的绝缘性一般要求器件内核之间的隔离区将半导体层完全隔离开来，要求隔离区必须深至衬底处，但是由于衬底上的半导体层一般都在5um左本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)在衬底上沉积绝缘层，利用蚀刻工艺在衬底上形成外延生长区和由绝缘层形成的隔离墙；(b)在步骤(a)的外延生长区生长出半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；(c)去除步骤(a)的隔离墙形成隔离区，衬底表面通过隔离区形成多颗的LED晶粒；(d)在每颗LED晶粒的表面局部形成凹形台面，使部分N型半导体层露出凹形台面；(e)在半导体层表面及隔离区沉积保护层；(f)蚀刻步骤(e)的保护层形成P电极安装区及N电极安装区，在P电极安装区制作P电极，在N电极安装区制作N电极，通过导电线路连接形成串联或/和并联的LED晶片...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：樊邦扬，陈立人，叶国光，梁伏波，杨小东，曹东兴，
申请(专利权)人：广东银雨芯片半导体有限公司，
类型：发明
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