一种无电阻的带隙基准电压源制造技术

本发明专利技术公开了一种无电阻带隙基准电压源。具体包括启动电路，自偏置电流源电路，和带有PTAT失调的电压跟随器，其中，启动电路与自偏置电流源电路连接，带有PTAT失调的电压跟随器与自偏置电流源电路相连。本发明专利技术提供的无电阻带隙基准电压源，由于电路结构没有使用电阻，因而可以和CMOS工艺相兼容，进而降低了设计的复杂度，减少了芯片的面积；此外本发明专利技术的基准电压源通过所述的自偏置电流源电路和带有PTAT失调的电压跟随器，使得基准电压在具有较低的温度系数的同时，提高了带隙基准电压源的电源抑制比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电源
，具体涉及一种带隙基准电压源的设计。
技术介绍
在基准电压源的设计过程中，通常采用基于硅的带隙电压产生固定电压的技术来 产生基准电压，其原理在于，将一个正温度系数的电压和一个负温度系数的电压以一定的 比例叠加，产生不随环境温度、电源电压变化的电压值。当温度接近OK时，这个基准电压接 近硅的带隙电压，称为“带隙基准”电压。正温度系数的电压通常来自于两个双结型晶体管的基极-发射极电压之差Δ Vbe， 负温度系数的电压即是双结型晶体管的基极-发射极电压Vbe，这两个电压要以一定的比例 叠加，才能抵消温度系数，使得到的电压具有比较好的温度特性。基准电压可表示为Veef = VBE+KX AVbe公式⑴公式(1)中的系数K通常是两个同类型电阻的比值。而标准的数字电路，并没有 提供相应的电阻模型，这里可以用开关电容实现等效电阻的方法来解决，但是需要额外的 电路来产生时钟信号，增加了电路的复杂度，同时会引入噪声；芯片内部集成电容，又会增 加芯片版图的面积，增加成本。文献"Buck A Ε, McDonald C L，Lewis H. et al. A CMOS ban本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种无电阻带隙基准电压源，其特征在于，包括启动电路，自偏置电流源电路和带有ＰＴＡＴ失调的电压跟随器，其中，启动电路与自偏置电流源电路连接，带有ＰＴＡＴ失调的电压跟随器与自偏置电流源电路相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，钟博，封鲁平，马颖乾，明鑫，张波，徐祥柱，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90