The invention relates to a heterojunction junction bipolar transistor and a method for making the same. The preparation method of heterojunction bipolar transistor, which comprises the following steps: forming an epitaxial layer of the heterojunction bipolar transistor; includes an oxide layer and a silicon nitride layer and the photoresist layer of the emitter window is formed in the epitaxial layer; partially etching the photoresist layer and the photoresist layer window is larger than that of the silicon nitride layer window; etching the silicon nitride layer and the silicon nitride layer of the window is larger than that of the oxide layer of the window; forming a polycrystalline silicon layer on the part of the surface of the oxide layer and the silicon nitride layer of the emitter window and the silicon nitride layer, to form the emission pole of heterojunction bipolar transistor. Preparation method of heterojunction bipolar transistor of the invention can make the deposition of polysilicon emitter fully into the oxide layer of the emitter window and the silicon nitride layer of the emitter window, and can form a good emitter metal silicide.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
在硅材料中引入锗形成硅锗合金来调整能带结构，作为双极型晶体管的基极 区，这种类型的晶体管被称为硅锗异质结双极型晶体管(SiGe Heterojunction Bipolar Transistor, SiGe HBT)。所述硅锗异质结双极型晶体管的性能明显优于硅双极型晶体管， 因此，硅锗异质结双极型晶体管近年来得到了迅猛的发展。请参与图1，图1是一种现有技术的硅锗异质结双极型晶体管的结构示意图。所述 硅锗异质结双极型晶体管包括外延层11，形成在所述外延层11上的氧化层12和氮化硅层 13。所述氧化层12和氮化硅层13包括发射极窗口 14，所述氧化层12和氮化硅层13的发 射极窗口 14大小基本一致。所述氧化层12和氮化硅层13的发射极窗口 14以及所述氮化 硅层13的部分表面形成有多晶硅层(Poly) 15。所述多晶硅层15形成所述硅锗异质结双极 型晶体管的发射极(Emitter)。由于所述氧化层12和氮化硅层13的发射极窗口 14的大小基本一致，因此，在发 射极的金属硅化物形成过程中，容易形成空洞，造成接触孔刻蚀时多晶硅被穿通(...
【技术保护点】
１．一种异质结双极型晶体管，包括外延层、形成在所述外延层上的包括发射极窗口的氧化层和氮化硅层，其特征在于：所述氮化硅层的发射极窗口大于所述氧化层的发射极窗口，所述氧化层和氮化硅层的发射极窗口内和所述氮化硅层的部分表面形成有多晶硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙涛，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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