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本发明涉及一种异质结双极型晶体管及其制备方法。所述异质结双极型晶体管的制备方法，包括如下步骤：形成所述异质结双极型晶体管的外延层；在所述外延层上形成包括发射极窗口的氧化层、氮化硅层、光刻胶层；部分蚀刻所述光刻胶层，使所述光刻胶层的窗口大于所...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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