A new graphic substrate luminous diode and preparation method thereof, comprising a substrate, a buffer layer, which is a N type semiconductor layer, an active layer, a P type semiconductor layer and the transparent conductive layer, the N type semiconductor layer is arranged on the N electrode, the P type semiconductor layer is arranged on the P electrode, which is characterized in that: the light emitting diode substrate for composite patterned substrate, composite substrate having a plurality of graphics is composed of a hollow circular table surface inverted cone composite graph form. The utility model has the advantages of reducing the defects of epitaxial growth and increasing the light scattering probability and enhancing the axial luminous efficiency.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于发光二极管领域，具体涉及一种新型图形衬底的发光二极管。
技术介绍
利用图形化衬底可以有效提高GaN基LED发光效率，一方面可以有效的降低GaN 基LED材料中的位错密度，避免裂纹的产生，提高外延材料的晶体质量和均勻性，进而能提 高LED的内量子发光效率，另一方面，由于阵列图形结构增加了光的散射，改变了 LED的光 学线路，进而提升光提取效率。传统的蓝宝石衬底图形形状集中在圆锥，半球，立方体等单一图形，本专利技术的衬底 图形则为两种单一形体组合而成的复合图形，可以进一步降低外延生长缺陷和加强光的散射。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，它具有降低 外延生长缺陷和增加光散射几率，增强轴向光出光效率的优点。本专利技术的技术方案是新型图形衬底的发光二极管，包括依次设有的衬底、缓冲 层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层，所述N型半导体层上设有N电极，所 述P型半导体层上设有P电极，其特征在于所述发光二极管的衬底为复合图形衬底，复合 图形衬底有多个由圆台上表面挖空一个倒圆锥构成的复合图形体。如上所述的新型图形衬底的发光二极管，其特征在于复合...
【技术保护点】
１．新型图形衬底的发光二极管，包括依次设有的衬底、缓冲层、Ｎ型半导体层、有源层、Ｐ型半导体层和透明导电层，所述Ｎ型半导体层上设有Ｎ电极，所述Ｐ型半导体层上设有Ｐ电极，其特征在于：所述发光二极管的衬底为复合图形衬底，复合图形衬底有多个由圆台上表面挖空一个倒圆锥构成的复合图形体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：易贤，王汉华，项艺，杨新民，靳彩霞，董志江，
申请(专利权)人：武汉迪源光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：83
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