The invention provides a nitride semiconductor light-emitting device. The nitride semiconductor light-emitting device comprises: a III-V nitride semiconductor layer; set in the III-V nitride semiconductor layer in the cavity; and the end face is formed in a cavity on the end face of the coating; the coating film face with aluminum oxide layer on the side face of the end face of the cavity on the insulating layer formed by aluminum nitride in between the end faces of the cavity and the coating; and the isolation layer is above 1nm and below 20nm thickness.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种设置有III-V族氮化物半导体层以及设置有形成在其腔的端面 上的端面涂覆膜的氮化物半导体发光器件。
技术介绍
近年，由于对光盘不断增加的高密度存储能力的需要，人们已经拟定了使用蓝色 半导体激光的蓝光盘(BD)和高密度DVD(HD-DVD)的标准，并且已经有了用于它们的商用解 码器等。这些新近开发的盘提供了更高的密度(通过更易于形成双层盘)以及允许快速的 写入。然而，为了获益于这些优点，需要使用高度可靠、高输出的蓝色半导体激光器。通常，从⑶和DVD重放和对其的写入通过使用AlGaAs基或InGaAlP基半导体激 光器实现，其中为了防止腔端面的退化和防止对腔端面的光学损伤，对腔端面涂敷了比如 Si02、Si3N4、氧化铝等的电介质膜。但是，不利的是，已经确认在蓝色半导体激光器中使用该 技术将导致驱动电流的快速增加。这就必需涂敷技术的改进。JP-A-2002-335053认为导致端面退化的一个原因就是端面涂敷膜较差的粘附，并 提出了使用置于之间的金属粘附层在腔端面上形成端面涂敷膜。然而，不利的是，使用金属膜作为粘附层导致腔端面上pn结处的短路，还导致...
【技术保护点】
１．一种氮化物半导体发光器件，包括：氮化物半导体层；设置在所述氮化物半导体层中的腔；与所述腔的端面接触的氮化物隔离层；以及与所述隔离层接触的端面涂覆膜；其中，所述端面涂敷膜是氧化物，在部分的所述隔离层中，形成有所述端面涂覆膜和所述隔离层互扩散的区域。
【技术特征摘要】
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