氮化物半导体发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件，包括：ＩＩＩ－Ｖ族氮化物半导体层；设置在ＩＩＩ－Ｖ族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂覆膜；其中，端面涂敷膜具有在其面对腔的端面的一侧上的氧化铝层，设置在端面涂覆膜和腔的端面之间的由氮化铝形成的隔离层；以及隔离层具有１ｎｍ以上且２０ｎｍ以下的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种设置有III-V族氮化物半导体层以及设置有形成在其腔的端面 上的端面涂覆膜的氮化物半导体发光器件。
技术介绍
近年，由于对光盘不断增加的高密度存储能力的需要，人们已经拟定了使用蓝色 半导体激光的蓝光盘(BD)和高密度DVD(HD-DVD)的标准，并且已经有了用于它们的商用解 码器等。这些新近开发的盘提供了更高的密度(通过更易于形成双层盘)以及允许快速的 写入。然而，为了获益于这些优点，需要使用高度可靠、高输出的蓝色半导体激光器。通常，从⑶和DVD重放和对其的写入通过使用AlGaAs基或InGaAlP基半导体激 光器实现，其中为了防止腔端面的退化和防止对腔端面的光学损伤，对腔端面涂敷了比如 Si02、Si3N4、氧化铝等的电介质膜。但是，不利的是，已经确认在蓝色半导体激光器中使用该 技术将导致驱动电流的快速增加。这就必需涂敷技术的改进。JP-A-2002-335053认为导致端面退化的一个原因就是端面涂敷膜较差的粘附，并 提出了使用置于之间的金属粘附层在腔端面上形成端面涂敷膜。然而，不利的是，使用金属膜作为粘附层导致腔端面上pn结处的短路，还导致光 吸收的增加。由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光器件，包括：Ⅲ－Ｖ族氮化物半导体层；腔，设置在所述Ⅲ－Ｖ族氮化物半导体层中，且具有包括前端面和后端面的成对的端面；端面涂覆膜，形成在所述腔的所述前端面的前侧以及所述腔的所述后端面的后侧，隔离层设置于所述端面涂覆膜与所述腔的所述成对的端面之间的界面的至少之一处，其中所述隔离层由氮化铝形成，所述氮化铝具有与所述Ⅲ－Ｖ族氮化物半导体层相同晶系的六方晶体结构，并且所述隔离层的至少部分是非晶态。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：神川刚，川口佳伸，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]