A silicon controlled rectifier, which comprises a semiconductor substrate; formed on the semiconductor substrate of the N and P wells; the formation of the first P in the N well in the injection region and the first N type injection region; the formation of second P in the P well in the injection region and second N type injection region the formation of joint position; in the N well and the P well of the third injection region; and forming lateral injection region in the third N by a lightly doped region and HALO region formed by the node injection. The invention of the silicon controlled rectifier, the node region is formed with a high concentration of injection combined with equivalent transistor formed between the anode and the cathode circuit is composed of a lightly doped region and HALO injection (NPN and PNP), which is located in the high concentration, the breakdown point between the injection region and lightly doped region. Since the light doped region is located above the HALO injection region, the breakdown point of the equivalent triode is closer to the device surface. Accordingly, the trigger voltage of the silicon controlled rectifier of the present invention is reduced.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及低触发电压的硅控整流器。
技术介绍
在集成电路(IC)的制造与使用中，静电放电(ESD)是一个需要考量的问题。随着对高速运算和宽带无线通信产品IC的需求日益增加，加之目前的IC工艺正快速地进入80 纳米甚至65纳米以下，IC的内部元件都非常微小，所以很容易受到瞬间静电放电的破坏。 因此，ESD对IC的质量有极大的影响，且随着IC制造工艺的不断进步，ESD问题的重要性也与日俱增。目前商用IC在ESD防护能力的国际标准基本规格包括以下几个项目，分别规范 IC要能够承受来自人体、机器设备、充电元件的静电放电能力。来自人体的ESD测试要达到2000伏以上；机器设备；MM)的ESD测试要达到200伏以上；充电元件的ESD测试要达到 1000伏以上。通常，ESD发生于一瞬间，约介于10纳秒到100纳秒之间，因此亟需一种直接构造于芯片上的片上(On-Chip)ESD防护装置或电路，以防止ESD对芯片造成损坏。近来，硅控整流器(SCR)已成为一种重要的ESD防护装置。业界一般使用双极形硅控整流器，其通常使用标准的MOS工艺制造。当ESD事件产...
【技术保护点】
１．一种硅控整流器，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上方的Ｎ阱和Ｐ阱；形成在所述Ｎ阱中的第一Ｐ型注入区和第一Ｎ型注入区；形成在所述Ｐ阱中的第二Ｐ型注入区和第二Ｎ型注入区；形成在所述Ｎ阱与所述Ｐ阱相接合之位置的第三注入区；以及形成在所述第三注入区侧方的由轻掺杂漏区ＬＤＤ和晕环注入区ＨＡＬＯ形成的结。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高超，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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