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一种硅控整流器，其包括半导体衬底；形成在所述半导体衬底上方的N阱和P阱；形成在所述N阱中的第一P型注入区和第一N型注入区；形成在所述P阱中的第二P型注入区和第二N型注入区；形成在所述N阱与所述P阱相接合之位置的第三注入区；以及形成在所述第三...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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