【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种单晶硅制造设备，具体涉及一种具有轻便、效率高等优点的单晶 硅制造装置。
技术介绍
单晶硅一般用CZ法制造。CZ法指的是在单晶炉内设置石英坩埚，并将硅料装入 石英坩埚内，再依靠安装在石英坩埚周围的加热器使硅料熔化，后把安装在籽晶夹头上的 籽晶进入熔液，并通过籽晶夹头与石英坩埚的相互逆转进而制造出规定直径和长度的单晶 棒。为了遮蔽熔液的热量，在石英坩埚上方设置围绕单晶棒的热屏。请参阅图1，现有的单晶炉装置通常包括腔体10，腔体10内设置有加热器11、支撑 托盘14，支撑托盘14上设置一个石墨坩埚13、在石墨坩埚13内再嵌入一个石英坩埚12，石 英坩埚12内盛装硅溶液，加热器11使得硅溶解，为避免热量的消散，在石英坩埚12上方设 置有屏罩15，用于隔热。在现有技术当中，石墨坩埚13主要的作用是对石英坩埚12起到限制的作用。但 是仍然存在以下的问题首先，石墨本身的强度较低，因此为了达到符合要求的强度，通常需要将石墨坩埚 的厚度设置较大值，这样不仅重量大，而且冷却时间较长；其次，石墨坩埚是又三块分割开的石墨组件组合在一起的，而硅在加热的过程中， 石英坩埚...
【技术保护点】
一种单晶硅制造装置，包括一密闭真空单晶炉、该单晶炉内设置有加热器、加热器的内侧空间内设置有一支撑托盘，其特征在于，该托盘上直接承接了一个用于盛装硅溶液的石英坩埚，在该石英坩埚外可拆卸地套接了一个Ｃ／Ｃ套筒，该Ｃ／Ｃ套筒上下开口，底部置于所述支撑托盘上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边健一，贺贤汉，
申请(专利权)人：上海汉虹精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。