【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种抗辐照EEPROM存储阵列的隔离结构，属于集成电路
技术介绍
EEPROM存储阵列作为非挥发存储设备，大量用于航空与航天领域。但是由于空间 应用环境的复杂性，存储阵列常常会受到辐照的影响而使关键数据丢失或器件失效。如何 满足空间应用的需要，提高EEPROM的抗辐照性能，是多年来研究的热点。现有技术中由NMOS管形成的存储单元之间不增加额外的隔离结构，单元与单元 之间由工艺过程中的场氧进行隔离。如图1所示，该EEPROM存储单元制作在半导体衬底8 上，包括N型有源区2，栅氧化层3，栅4，左右两个NMOS管之间为场氧1。在常规环境中，场 氧1中没有导电沟道，不存在漏电流。在辐照环境中，在场氧1区会产生电离电子-空穴对； 由于陷阱的俘获作用，在Si/Si02系统的S^2 —侧堆积正电荷，形成界面态，有可能形成场 氧下反型的漏电沟道。场氧漏电沟道能延伸到邻近的晶体管的N型有源区2，这将在相邻的 NMOS管之间产生漏电流Id。所以标准EEPROM存储单元阵列结构不具备在辐照环境中应用 的价值。
技术实现思路
本专利技术目的在于解决上述问题，在现有...
【技术保护点】
１． 抗辐照ＥＥＰＲＯＭ存储阵列隔离结构，包括制作在半导体衬底上的ＥＥＰＲＯＭ存储单元，所述ＥＥＰＲＯＭ存储单元呈阵列排列，ＥＥＰＲＯＭ存储单元之间通过场氧相隔离，其特征在于：在所述场氧下面增加场注，使得存储阵列中的每个ＥＥＰＲＯＭ存储单元与其上下左右四个ＥＥＰＲＯＭ存储单元通过所述场注隔开，所述场注与相邻ＥＥＰＲＯＭ存储单元不接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：田海燕，封晴，王晓玲，张艳飞，李博，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：32
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