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本发明公布了一种抗辐照EEPROM存储单元阵列隔离结构，包括制作在半导体衬底上的EEPROM存储单元，所述EEPROM存储单元呈阵列排列，EEPROM存储单元之间通过场氧相隔离，在所述场氧下面增加场注，使得存储阵列中的每个EEPROM存储单...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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