采用形成在下部导体上方的选择性制造的碳纳米管可逆电阻转换元件的存储器单元及其形成方法技术

在一些方面，制造存储器单元的方法被提供，该方法包括（１）在基板上方制造第一导体；（２）在第一导体上方选择性地制造碳纳米管（ＣＮＴ）材料；（３）在ＣＮＴ材料上方制造二极管；以及（４）在二极管上方制造第二导体。也提供许多其他方面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种非易失性存储器，更具体地，涉及采用形成在下部导体上方的选 择性制造的碳纳米管(CNT)可逆电阻转换元件的存储器单元及其形成方法。
技术介绍
由可逆电阻转换元件形成的非易失性存储器是已知的。例如，于2005年 5 月 9 日提交的名称为〃 REWRITEABLE MEMORY CELL COMPRISING ADIODE AND A RESISTANCE-SWITCHING MATERIAL “的第 11/125，939 号美国专利申请(下面被称 为"丨939申请")(为了所有的目的，其以引用方式整体引入在此)描述了可重写的非易 失性存储器单元，该可重写的非易失性存储器单元包括与诸如金属氧化物或者金属氮化物 的可逆电阻率转换材料串联耦接的二极管。然而，由可重写的电阻率转换材料制造存储器在技术上具有挑战性；并且期望采 用可逆电阻率转换材料的存储器的改进的形成方法。
技术实现思路
在本专利技术的第一方面中，制造存储器单元的方法被提供，该方法包括(1)在基板 上方制造第一导体；(2)在第一导体上方选择性地制造碳纳米管(CNT)材料；(3)在CNT材 料上方制造二极管；以及(4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造存储器单元的方法，包括：在基板上方制造第一导体；在所述第一导体上方选择性地制造碳纳米管（ＣＮＴ）材料；在所述ＣＮＴ材料上方制造二极管；以及在所述二极管上方制造第二导体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿普里尔施里克，马克克拉克，布拉德赫纳，
申请(专利权)人：桑迪士克三D有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US