ＳＯＮＯＳ闪存器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＳＯＮＯＳ闪存器件，其栅结构为多晶硅栅－控制氧化层－氮化硅陷阱层－隧穿氧化层－硅衬底，所述控制氧化层是由结构为第三层氧化膜－第二层氮化膜－第一层氧化膜的ＯＮＯ多层膜组成。所述ＳＯＮＯＳ闪存器件能提高可靠性并能抑制栅电极注入。本发明专利技术还公开了一种ＳＯＮＯＳ闪存器件制造方法，包括：隧穿氧化层成膜；氮化硅陷阱层制备；第一层氧化膜制备；第二层氮化膜制备；第三层氧化膜制备。所述ＳＯＮＯＳ闪存器件制造方法具有工艺比较简单，易于集成，成本低，可以用于批量生产的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，特别是涉及一种SONOS闪存器件；为此，本专利技术还涉 及半导体集成电路制造工艺。
技术介绍
SONOS是多晶硅-上层氧化物-氮化物-下层氧化物-单晶硅(Silicon-Oxide -Nitride-Oxide-Silicon)的多层膜结构的简称，SONOS闪存器件的栅结构具体为多晶硅 栅-控制氧化层-氮化硅陷阱层-隧穿氧化层-硅衬底。SONOS闪存器件因为具备良好的 等比例缩小特性和抗辐照特性而成为目前主要的闪存类型之一。SONOS闪存器件面临的可 靠性问题主要有两个一是电擦写持久力(Endurance)特性，就是衡量SONOS器件在多次编 程/擦除之后，器件特性方面可能的退化。二是数据保持力(Data Retention)特性，就是 S0N0S器件的数据保存能力，业界一般要求的数据保存能力在10年以上。现有S0N0S器件一般应用热氧化膜作为控制氧化层，为了保证S0N0S器件的擦写 速度以及可靠性性能，热氧化膜的厚度受到限制，通常比较薄。而较薄的热氧化膜将导致隔 离性能下降，使得S0N0S器件的氮化硅陷阱层会通过所述热氧化膜和栅极交换电子，会发 生保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＮＯＳ闪存器件，其栅结构为多晶硅栅－控制氧化层－氮化硅陷阱层－隧穿氧化层－硅衬底，其特征在于：所述控制氧化层是由结构为第三层氧化膜－第二层氮化膜－第一层氧化膜的ＯＮＯ多层膜组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙勤，杨欣，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31