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在一些方面，制造存储器单元的方法被提供，该方法包括（１）在基板上方制造第一导体；（２）在第一导体上方选择性地制造碳纳米管（ＣＮＴ）材料；（３）在ＣＮＴ材料上方制造二极管；以及（４）在二极管上方制造第二导体。也提供许多其他方面。...
该专利属于桑迪士克３Ｄ有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克３Ｄ有限责任公司授权不得商用。

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