本实用新型专利技术公开了多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置，其特征在于：出气管外部设置有压缩空气来源装置和空气通风管道，压缩空气来源装置和空气通风管道固定连接，所述空气通风管道上设置有输出空气的出气孔；该装置可以达到良好的冷却效果，可以使多晶硅氢还原炉运行十分稳定正常，安全高效；结构简单，操作方便安全。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及多晶硅生产领域，特别是多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却 装置。
技术介绍
生产多晶硅的整个系统中，多晶硅氢还原炉是心脏设备。在生产过程中，在多晶硅氢还原炉中还原生成多晶硅是在一个较高的温度条件U08(TC)下反应进 行的，进炉气体在进炉之前通过高效板式换热器与尾气换热，进入多晶硅氢还原 炉后又被硅棒加热，其尾气温度很高(55(TC—65(TC)，导致出气管道温度相应增 高(550—65(TC)，因此需要对出气管进行冷却。现在的工艺过程， 一般是采用冷水对尾气进行冷却。冷却水套中存在有焊缝， 一旦有水通过焊缝泄漏侵入到整个生产系统中，则会给系统带来极大危害，堵塞 管道、影响水质、产量及质量降低，导致停产。
技术实现思路
本技术为解决上述问题，提供了一种多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却 装置，可以在安全的前提下达到良好的冷却效果，并且可以使多晶硅氢还原炉运 行稳定高效。本技术的技术方案如下多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置，其特征在于出气管外部设置有压 缩空气来源装置和空气通风管道，压縮空气来源装置和空气通风管道固定连接， 所述空气通风管道上设置有输出空气的出气孔。所述压縮空气来源装置为高压风机，或者压縮空气站。所述压縮空气来源装置的出口设置有调节空气流量的自动调节阀门，根据尾 气管温度进行自动调节控制空气流量。所述空气通风管道可以为空气盘管，也可以为与出气管平行的直管。 本技术的工作原理为当多晶硅氢还原炉的出气管被加热后需要被冷却时，首先打开压縮空气来源装置的自动调节阀门，温度为20'C左右、压力为0.8Mpa左右的空气通过空气盘管 或直管送气，通过出气孔输出到出气管外部；由于空气温度大大低于出气管，因 此与出气管换热带走热量，使出气管的温度冷却到4(TC左右，从而达到了降温冷 却目的。空气采用压縮空气，每小时在100立方米左右，即使尾气有轻微的泄漏也可 被空气稀释带走，进行置换，从而避免尾气管道在水冷却情况下泄漏渗入系统中， 避免物料水解堵塞管道等。本技术的有益效果如下该装置可以达到良好的冷却效果，可以使多晶硅氢还原炉运行十分稳定正常， 安全高效；结构简单，操作方便安全。附图说明图1为本技术的结构示意图具体实施方式多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置，5为还原炉裙座，出气管l外部设置 有压縮空气来源装置2和空气通风管道3，压縮空气来源装置2和空气通风管道3 固定连接，所述空气通风管道3上设置有输出空气的出气孔4。所述压縮空气来源装置2为高压风机，或者压縮空气站。所述压縮空气来源装置2的出口设置有调节空气流量的自动调节阀门，根据 尾气管温度进行自动调节控制空气流量。所述空气通风管道3可以为空气盘管，也可以为与出气管平行的直管。本技术的工作原理为当多晶硅氢还原炉的出气管被加热后需要被冷却时，首先打开压縮空气来源 装置的自动调节阀门，温度为2CTC左右、压力为0.8Mpa左右的空气通过空气盘管 或直管送气，通过出气孔输出到出气管外部；由于空气温度大大低于出气管，因 此与出气管换热带走热量，使出气管的温度冷却到4(TC左右，从而达到了降温冷 却目的。空气采用为压縮空气，每小时在100立方米左右，即使尾气有轻微的泄漏也 可被空气稀释带走，进行置换，从而避免尾气管道在水冷却情况下泄漏渗入系统 中，避免物料水解堵塞管道等。权利要求1、多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置，其特征在于出气管(1)外部设置有压缩空气来源装置(2)和空气通风管道(3)，压缩空气来源装置(2)和空气通风管道(3)固定连接，所述空气通风管道(3)上设置有输出空气的出气孔(4)。2、 根据权利要求1所述多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置，其特征在于:所述压縮空气来源装置(1)为高压风机，或者压縮空气站。3、 根据权利要求1或2所述多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置，其特征在于所述压縮空气来源装置(1)的出口设置有调节空气流量的自动调节阔门。4、 根据权利要求1所述多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置，其特征在于所述空气通风管道(3)为空气盘管，或者是与出气管平行的直管。专利摘要本技术公开了多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置，其特征在于出气管外部设置有压缩空气来源装置和空气通风管道，压缩空气来源装置和空气通风管道固定连接，所述空气通风管道上设置有输出空气的出气孔；该装置可以达到良好的冷却效果，可以使多晶硅氢还原炉运行十分稳定正常，安全高效；结构简单，操作方便安全。文档编号C30B29/06GK201305656SQ20082022284公开日2009年9月9日 申请日期2008年11月24日 优先权日2008年11月24日专利技术者戴自忠, 涂大勇 申请人:四川永祥多晶硅有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
多晶硅氢还原炉出气管的空气冷却装置，其特征在于：出气管（１）外部设置有压缩空气来源装置（２）和空气通风管道（３），压缩空气来源装置（２）和空气通风管道（３）固定连接，所述空气通风管道（３）上设置有输出空气的出气孔（４）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戴自忠，涂大勇，
申请(专利权)人：四川永祥多晶硅有限公司，
类型：实用新型
国别省市：51[中国|四川]
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