通过含氧化铈的分散体抛光硅表面的方法技术

本发明专利技术提供了硅表面抛光的方法，其中使用包含氧化铈颗粒、至少一种高分子的阴离子分散添加剂和至少一种氧化剂并且ｐＨ为７－１０．５的分散体，所述氧化铈颗粒带正电荷并且所述高分子的阴离子分散添加剂和氧化剂可溶于所述分散体的液相中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种通过包含氧化铈颗粒、高分子的阴离子分散添加剂和氧化剂的分 散体抛光硅表面的方法。
技术介绍
为了生产用于微电子的硅晶片，通常进行三次抛光步骤1.就流行的300mm晶片而言，在锯切、打磨和蚀刻硅晶片之后，以双面抛光法 (DSP)进行“一次抛光”(stock removal)步骤。为了去除单晶的打磨损坏并获得良好的晶 片形状(面-平行)，去除约20μπι(10μπι/面)。所用分散体通常基于胶体二氧化硅。为 了获得较高的去除率，使用约11. 5-12的高ρΗ。为了防止硅的部分蚀刻，在抛光过程结束之 后用中止分散体(stop dispersion)降低ρΗ。接着亲水化，即用OH基团或氧原子饱和硅表 面。仅亲水化表面可以充分清洗。2. “最后抛光”步骤。它保证了抛光晶片(已在两面抛光)的确定光滑正面，尤其 保证了 DSP和晶片边缘打磨/抛光之后擦痕或处理痕迹的去除。除去约500nm-l μ m。通常 使用与第一步相似的分散体。3. “无灰雾”抛光步骤。特别温和的抛光步骤再一次去除几十纳米的硅以获得晶 片正面光滑至埃水平，这是芯片生产所需的。为了生产通过热氧化以均勻厚度获得本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅表面的抛光方法，特征在于使用包含氧化铈颗粒、至少一种高分子的阴离子分散添加剂和至少一种氧化剂并且ｐＨ为７－１０．５的分散体，　　－所述氧化铈颗粒带正电荷，和　　－所述高分子的阴离子分散添加剂和所述氧化剂可溶于所述分散体的液相中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M克勒尔，M克雷默，G茨维克尔，M托尔克勒，
申请(专利权)人：赢创德固赛有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]