【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造用于诸如硬盘装置的磁记录/再现装置的磁记录介质的方法。还 涉及磁记录/再现装置。
技术介绍
近年来,诸如磁盘装置、软盘装置和磁带装置的磁记录装置被广泛地应用,其重要 性也日益增加。在磁记录装置中使用的磁记录介质的记录密度也被极大地提高。特别地, 因为MR头和PRML技术的发展,面记录密度日益增加。最近,已经开发了 GMR头和TMR头, 并且面记录密度以约每年100%的速率增加。对于进一步增加记录密度的需求仍然日益增 加,因此,热切需要具有更高矫顽力和更高信噪比(SNR)以及高分辨率的磁性层。同样还进行了通过增加磁道密度和增加线记录密度来增加面记录密度的尝试。在近期的磁记录装置中,磁道密度已达到约llOkTPI。然而,随着磁道密度的增加, 磁记录信息倾向于在相邻的磁道之间彼此干扰,并且作为噪声源的在其边界区域中的磁化 过渡区倾向于损害SNR。这些问题导致误码率的降低并阻碍了记录密度的增加。为了增加面记录密度,需要使每一个记录位的尺寸变小并使每一个记录位具有最 大饱和磁化和磁性膜厚度。然而,随着位尺寸的减小,每位的最小磁化体积变小,并且所记 录的数 ...
【技术保护点】
一种制造磁记录介质的方法,所述磁记录介质在非磁性基底的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形,该方法的特征在于包括依次执行的下列步骤(A)到(F):(A)在非磁性基底上形成磁性层的步骤;(B)在所述磁性层上形成碳层的步骤;(C)在所述碳层上形成抗蚀剂层的步骤;(D)在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的负图形的步骤;(E)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的区域中的所述抗蚀剂层的部分和所述碳层的部分的步骤;以及然后(F)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的每一个区域中的所述磁性层的至少表面层部分的步骤。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:福岛正人,坂胁彰,山根明,
申请(专利权)人:昭和电工株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。