【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种III族氮化物半导体发光器件，更具体而言，涉及具有包括通过 湿法刻蚀而暴露的侧面的突起的衬底和使用该衬底的III族氮化物半导体发光器件。
技术介绍
图1是描述传统III族氮化物半导体发光器件的一个实例的视图。所述III族氮 化物半导体器件包括衬底100、在所述衬底100上生长的缓冲层200、在所述缓冲层200上 生长的η型氮化物半导体层300、在所述η型氮化物半导体层300上生长的有源层400、在 所述有源层400上生长的ρ型氮化物半导体层500、在所述ρ型氮化物半导体层500上形成 的P面电极600、在所述ρ面电极600上形成的ρ面焊盘700和在通过台面刻蚀所述ρ型氮 化物半导体层500和所述有源层400而暴露的所述η型氮化物半导体层上形成的η面电极 800。在所述衬底100的情况下，GaN衬底可用作同质衬底，而蓝宝石衬底、SiC衬底或 Si衬底可用作异质衬底。不过，可以使用在其上能够生长氮化物半导体层的任何类型的衬 底。在使用所述SiC衬底的情况中，所述η面电极800可形成在所述SiC衬底侧。在所述衬底100上外延生长的所述氮化物半导体层通常通...
【技术保护点】
一种Ⅲ族氮化物半导体发光器件，所述Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：其上形成有多个突起的衬底，所述多个突起中的每一个均具有三个锐角部分和三个钝角部分；和在所述衬底上形成的多个Ⅲ族氮化物半导体层，并且所述多个Ⅲ族氮化物半导体层包括通过电子和空穴的复合而发光的有源层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：金昌台，李泰熙，南起炼，
申请(专利权)人：艾比维利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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