磁场内的发光装置制造方法及图纸

一种发光装置包含发光结构和磁性源结构。所述发光结构包含第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到所述第一掺杂结构层和所述第二掺杂结构层。所述磁性源结构邻近于所述发光结构以在所述发光结构中产生磁场。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光装置。更明确地说，本专利技术涉及一种具有磁场的发光装置。
技术介绍
与产生热来发光的常规荧光灯或白炽灯不同，例如发光二极管(light-emitting diode,LED)等半导体发光装置采用半导体的特定特性来发光，其中发光装置发射的光称为 冷光(cold luminescence)。发光装置具有长使用寿命、轻重量和低功率消耗等优点，使得 发光装置已用于例如光学显示器、交通信号灯、数据存储设备、通信装置、照明设备和医疗 设备等广泛种类的应用中。因此，如何改进发光装置的发光效率是此项技术中的一个议题。例如发光二极管(LED)等发光装置可归因于驱动电子电流穿过发光二极管的活 性层(active layer)而发光。然而，如果电流密度不均一地分布到整个发光区域，那么光均 一性减小。更进一步地，常规设计中的非透明顶部电极(top electrode)通常定位在发光 区域的中心区。以此方式，顶部电极下方的电流密度大于其它区，且可发射更多光。然而， 顶部电极下方的所发射的光由于顶部电极对于光是不透明的而被阻挡。常规LED的顶部电 极在具有最高强度的中心区处阻挡所发射的光，从而导致输出光的减少。图1是说明常规发光装置的横截面图的示意图。参看图1，发光装置100是垂直 型发光二极管(LED)，其包含电极110和120，以及半导体发光层130、第一传导型半导体层 132和第二传导型半导体层134的半导体堆叠(stack)。电流密度的分布随着偏离电极110 和120的距离增加而逐渐减小。如图1所示，紧密的线表示高电流密度，且具有最多数目的 线的区域位于电极110与120之间。然而，由于先天缺陷的缘故，具有最高发光效率的区域 被电极110阻挡，使得发光装置100的总体发光效率受到影响。图2是说明常规发光装置的俯视图的示意图。参看图2，发光装置200是水平型 LED,其包含电极210和220。因为电流始终发射穿过具有最低电阻的路径，所以电流密度的 分布在电极210与220之间是不均勻的，其中电流密度的主要分布是沿着电极210与220 之间的中心路径。因此，为了增加发光装置200所发射的光的量，需要增大均一电流分布区 域，使得发光装置200的大小增大。基于上述描述，断定发光装置的发光效率可受例如如下因素等一些因素的影响。发光装置的电极之间的区域不仅是具有最高电流载流子(current carrier)密度 的区域，而且是产生最多光子的区域。然而，电极之间产生的光子大部分被不透明电极阻 挡，使得发光效率难以增强。电流始终发射穿过具有最低电阻的路径，其导致发光装置的不均勻亮度，使得发 光装置的发光效率和大小也受到限制。
技术实现思路
本专利技术在一方面中提供一种发光装置。所述发光装置包含发光结构和磁性结构。 所述发光结构包含第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到所述第一掺杂结构 层和所述第二掺杂结构层。所述磁性结构邻近于所述发光结构以在所述发光结构中产生磁 场。本专利技术在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构和磁性层。所 述发光结构包含下部掺杂结构层。活性层设置在下部掺杂结构层上。上部掺杂结构层设置 在活性层上。第一电极以电耦合设置在上部掺杂结构层上。第二电极以电耦合设置在下部 掺杂结构层上。第一电极和第二电极处于活性层的相同侧或相对侧。磁性层与发光结构集 成以产生具有实质上垂直于和/或平行于活性层的方向的磁场。本专利技术在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构和磁性层。所 述发光结构包含第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、第 一电极和第二电极。所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到所述第一掺杂结构层和所 述第二掺杂结构层。所述磁性层通过封装结构在所述第一电极和所述第二电极上与发光结 构耦合，以在所述发光结构中产生磁场。本专利技术在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构、第一磁性层 和第二磁性层。所述发光结构具有第一侧和第二侧，包含第一掺杂结构层、第二掺杂结构 层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、以电耦合设置在第一掺杂结构层上的第一电极、以 电耦合设置在第二掺杂结构层上的第二电极，以及在第一侧设置在第一电极上的第一磁性 层。第二磁性层在第二侧设置在第二掺杂结构层上。本专利技术在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构、导热材料层 和磁性层。导热材料层与发光结构耦合以耗散发光结构产生的热。磁性层与导热材料层耦 合以在发光结构中产生磁档案。本专利技术在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含散热片、结构载体和发 光结构。所述结构载体堆叠在散热片上。发光结构堆叠在结构载体上。结构载体和散热片 的至少一个部分具有磁性以在发光结构中提供磁场。本专利技术在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含散热片、结构载体、发光 结构和囊封剂。所述结构载体堆叠在散热片上，其中结构载体具有带有侧壁的凹穴区。发 光结构在凹穴区内堆叠在结构载体上。囊封剂填充在空间中，其中囊封剂含有磁性材料粉 末或不含有磁性材料粉末。本专利技术在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构和用以以电连 接来固持发光结构的磁性固持载体。本专利技术在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构、发光结构下 方的磁性层、用以固持磁性层与发光结构的固持载体。囊封剂包裹发光结构和磁性固持载 体的一部分。本专利技术在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含载体、设置在载体上以 具有容纳空间的磁性层，以及在容纳空间内设置在载体上的发光结构。应理解，以上大体描述和以下详细描述两者均为示范性的，且希望提供对如所主 张的本专利技术的进一步阐释。9附图说明包含附图以提供对本专利技术的进一步理解，且附图并入在本说明书中并组成本说明 书的一部分。图式说明本专利技术的实施例，并与描述内容一起用以阐释本专利技术的原理。图1是说明常规发光装置的横截面图的示意图。图2是说明常规发光装置的俯视图的示意图。图3是说明根据本专利技术的一个实施例的发光装置的横截面图的示意图。图4是根据本专利技术的另一实施例的发光装置的俯视图。图5是说明根据本专利技术的一个实施例的LED的结构的横截面图。图6是展示根据本专利技术的一个实施例的具有磁性衬底424的LED发射的光的输出 功率的曲线图。图7是说明根据本专利技术的一个实施例的LED的结构的横截面图。图8是说明根据本专利技术的一个实施例的LED的结构的横截面图。图9是说明根据本专利技术的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。图10是说明根据本专利技术的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。图11是说明根据本专利技术的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。图12是示意说明根据本专利技术的实施例的发光装置的结构的横截面图。图13是示意说明根据本专利技术的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。图14是示意说明根据本专利技术的一实施例的发光装置的结构的横截面图。图15是示意说明根据本专利技术的一实施例的发光装置的结构的横截面图。图16是示意说明根据本专利技术的一实施例的发光装置的结构的横截面图。图17是示意说明根据本专利技术的一实施例的发光装置的结构的横截面图。图18是示意说明根据本专利技术的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其包括：发光结构，其包括第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到所述第一掺杂结构层和所述第二掺杂结构层；以及磁性结构，其邻近于所述发光结构以在所述发光结构中产生磁场。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宣融，徐志豪，叶文勇，许镇鹏，陈振坤，林坤锋，蔡政达，朱慕道，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71