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本公开涉及一种ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件，所述ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件包括：其上形成有多个突起的衬底，所述多个突起中的每一个均具有三个锐角部分和三个钝角部分；和在所述衬底上形成的多个ＩＩＩ族氮化物半导体层，并且所述多个ＩＩＩ族氮化物半...
该专利属于艾比维利股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾比维利股份有限公司授权不得商用。

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