本发明专利技术提供近场光产生元件、近场光头以及信息记录再现装置。近场光产生元件（２２）具有：多面体状的芯体（４０），其具有反射面（４０ａ）、光束会聚部（４０ｂ）和近场光生成部（４０ｃ），上述反射面（４０ａ）使光束（Ｌ）向不同于导入方向的方向反射，上述光束会聚部（４０ｂ）以与从一端侧朝向另一端侧的长度方向正交的截面面积逐渐减小的方式收缩成形，并用于使反射后的光束在会聚的同时向另一端侧传播，上述近场光生成部（４０ｃ）从上述光束会聚部的端部朝向另一端侧进一步收缩成形，而且用于自会聚起来的光束生成近场光（Ｒ）并从另一端侧向外部发出该近场光；以及包层（４１），其与芯体的侧面紧密接触地将芯体封闭在该包层的内部，端面（４０ｄ）形成为在光的波长以下的尺寸，近场光生成部的侧面被遮光膜（４２）遮挡。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使导入的光束会聚并自该光束产生近场光的近场光产生 元件、利用通过该近场光产生元件产生的近场光在磁记录介质上以超高 密度记录各种信息的近场光头、以及具有该近场光头的信息记录再现装 置。
技术介绍
近年来，伴随计算机设备中的硬盘等的容量增加，单一记录面内的 信息的记录密度增加。例如，为了使磁盘每单位面积的记录容量增大， 需要使面记录密度提高。然而，伴随着记录密度的提高，记录介质上每1 比特所占的记录面积变小。当该比特尺寸变小时，1比特的信息所具有的 能量接近室温的热能，会产生所记录的信息因为热扰动等而反转或消失 等热退磁的问题。一般采用的面内记录方式是以磁化方向朝向记录介质的面内方向的 形式来进行磁记录的方式，但是在该方式下，容易引起因上述热退磁而 导致的记录信息的消失等。因此，为了消除这样的不良情况，正逐步向 在垂直于记录介质的方向记录磁信号的垂直记录方式转移。该方式是对 记录介质利用靠近单磁极的原理来记录磁信息的方式。根据该方式，记 录磁场朝向与记录膜大致垂直的方向。关于利用垂直的磁场记录的信息，由于在记录膜面内N极和S极难以形成环路，所以在能量上容易保持稳 定。因此，该垂直记录方式相对于面内记录方式抗热退磁能力变强。但是，近年来的记录介质为了满足希望进行更大量且高密度信息的 记录再现等需要，要求进一步高密度化。因此，为了将相邻磁区之间的 影响和热扰动抑制到最小限度，开始采用矫顽磁力强的材料作为记录介 质。因此，即使是上述垂直记录方式，也很难将信息记录在记录介质上。因此，为了消除该不良情况，提供了下述的混合磁记录方式(近场 光辅助磁记录方式)，即利用近场光对磁区进行局部加热以使矫顽磁力临 时降低、并在此期间进行写入。该混合磁记录方式是利用通过微小区域 和光学开口之间的相互作用而产生的近场光的方式，所述光学开口形成 为小于等于形成于近场光头的光的波长的尺寸。这样，通过利用具有超 越了光的衍射极限的微小的光学开口、即近场光产生元件的近场光头， 能够处理下述区域中的光学信息小于等于以往光学系统中成为极限的 光的波长的区域。因此，能够实现超越现有的光信息记录再现装置等的 记录比特的高密度化。另外，近场光产生元件不仅有基于上述光学微小幵口的结构，例如， 也可以由形成为纳米尺寸的凸起部构成。通过该凸起部，也能够与光学 微小开口同样地产生近场光。作为基于上述混合磁记录方式的记录头，提供有各种类型的记录头， 作为其中之一，已知有使光点尺寸縮小从而实现了记录密度的增大的近场光头(例如，参照日本特开2004—158067号以及日本特开2005—4901 号公报)。该近场光头主要包括主磁极；辅助磁极；在绝缘体内部形成有螺 旋状的导体图案的线圈绕组；自照射的激光产生近场光的金属散射体； 向金属散射体照射激光的平面激光光源；以及使照射的激光聚焦的透镜。 该各结构部件安装在固定于梁前端的滑块的侧面。主磁极的一端侧成为与记录介质对置的面，另一端侧与辅助磁极连 接。即，主磁极和辅助磁极构成将1根磁极(单磁极)配置在垂直方向 上的单磁极型垂直光头。此外，线圈绕组以其一部分从磁极和辅助磁极 之间通过的方式固定在辅助磁极上。这些磁极、辅助磁极和线圈绕组作 为整体构成电磁铁。在主磁极的前端，安装有由金等构成的上述金属散射体。此外，在 从金属散射体离开的位置配置有上述平面激光光源，并且在该平面激光 光源和金属散射体之间配置有上述透镜。关于上述各结构部件，从滑块的侧面侧起依次安装有辅助磁极、线圈绕组、主磁极、金属散射体、透镜、平面激光光源。在利用这样构成的近场光头的情况下，通过在产生近场光的同时附 加记录磁场，将各种信息记录在记录介质上。艮口，从平面激光光源照射激光。该激光通过透镜而会聚，并照射向 金属散射体。于是，金属散射体内部的自由电子通过激光的电场而均一 地进行振动，因此等离子体激元受到激发从而在前端部分产生近场光。 其结果为，记录介质的磁记录层被近场光局部加热，矫顽磁力临时降低。此外，在照射上述激光的同时，通过向线圈绕组的导体图案供给驱 动电流，来对记录介质的接近主磁极的磁记录层局部附加记录磁场。由 此，能够将各种信息记录在矫顽磁力临时降低了的磁记录层中。即，通 过近场光和磁场的共同作用，能够在记录介质上进行记录。专利文献1:日本特开2004—158067号公报 专利文献2:日本特开2005—4901号公报 然而，在上述现有的近场光头中，还留有以下问题。 艮P，当产生信息记录所不可或缺的近场光时，从平面激光光源经由 透镜向金属散射体照射激光。然而，由于金属散射体安装在主磁极的前 端，因此不得不从平面激光光源斜着照射激光。由此，无法使激光沿着 金属散射体入射，激光在中途会因散射等而损失，从而难以高效率地产 生近场光。特别是，由于金属散射体不能有目的地改变导入的光的方向， 所以不得不如上所述斜着照射激光来使其入射到金属散射体。此外，由于需要在考虑对记录介质的千涉的同时将透镜配置在平面 激光光源和金属散射体之间，所以使用了半圆形的透镜。因此，难以使 激光高效率地会聚在金属散射体上。这也是导致近场光的产生效率低下 的主要原因。
技术实现思路
本专利技术是考虑了这样的情况而完成的，其目的在于提供近场光产生 元件、具有该近场光产生元件的近场光头以及具有该近场光头的信息记 录再现装置，上述近场光产生元件能够在改变所导入的光束的方向的同时进行聚光，并由该光束高效率地产生近场光。 为了解决上述课题，本专利技术提供以下手段。本专利技术的近场光产生元件使导入至其一端侧的光束以不同于导入方 向的方向朝向另一端侧在会聚的同时进行传播，并且在生成为近场光后 向外部发出该近场光，其特征在于，上述近场光产生元件具有多面体 状的芯体，其具有反射面、光束会聚部和近场光生成部，上述反射面使 导入的上述光束向不同于导入方向的方向反射，上述光束会聚部以与从 上述一端侧朝向上述另 一端侧的长度方向正交的截面面积逐渐减小的方 式收縮成形，并用于使反射后的上述光束在会聚的同时朝向另 一端侧传 播，上述近场光生成部从上述光束会聚部的端部朝向上述另一端侧进一 步收縮成形，并用于从会聚起来的上述光束生成上述近场光并从另一端 侧向外部发出该近场光；以及包层，其由折射率比上述芯体小的材料形 成，并且该包层在使芯体的另一端侧露出于外部的状态下，与芯体的侧 面紧密接触地将芯体封闭在该包层内部，上述近场光生成部的在上述另 一端侧露出到外部的端面形成为在光的波长以下的尺寸，并且该近场光 生成部的至少一个侧面被遮光膜遮挡。在本专利技术的近场光产生元件中，具有由反射面、光束会聚部及近场 光生成部一体地形成的多面体状的芯体、和将该芯体封闭在内部的包层， 该近场光产生元件能够使从一端侧导入至芯体内部的光束从另一端侧作 为近场光向外部发出。包层由折射率比芯体小的材料以与芯体侧面紧密接触的方式形成， 并且包层以在芯体与该包层之间不产生间隙的方式将芯体封闭起来。此 处，当从一端侧向芯体内部导入光束时，该光束被反射面反射从而方向 发生改变。即，方向改变成不同于导入方向的方向。然后，改变了方向 的光束通过光束会聚部从一端侧向另 一端侧在芯体内部传播。此时，光束会聚部以与从一端侧朝向另一端侧的长度方向正交的截 面面本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种近场光产生元件，其使导入至其一端侧的光束以不同于导入方向的方向朝向另一端侧在会聚的同时进行传播，并且在生成为近场光后向外部发出该近场光，其特征在于， 上述近场光产生元件具有： 多面体状的芯体，其具有反射面、光束会聚部和近场光 生成部，上述反射面使导入的上述光束向不同于导入方向的方向反射，上述光束会聚部以与从上述一端侧朝向上述另一端侧的长度方向正交的截面面积逐渐减小的方式收缩成形，并用于使反射后的上述光束在会聚的同时朝向另一端侧传播，上述近场光生成部从上述光束会聚部的端部朝向上述另一端侧进一步收缩成形，而且用于自会聚起来的上述光束生成上述近场光并从另一端侧向外部发出该近场光；以及 包层，其由折射率比上述芯体小的材料形成，并且该包层在使芯体的另一端侧露出于外部的状态下，与芯体的侧面紧密接触地将芯 体封闭在该包层内部， 上述近场光生成部的在上述另一端侧露出到外部的端面形成为在光的波长以下的尺寸，并且该近场光生成部的至少一个侧面被遮光膜遮挡。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：平田雅一，大海学，朴马中，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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