近场光产生元件、近场光头及它们的制造方法和再现装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供近场光产生元件、近场光头及它们的制造方法和再现装置，它们能够在确保光量的基础上，缩小近场光的点径。作为解决手段，从Z方向观察，芯部(23)形成为多边形形状，且具有第1芯部(54)和覆盖第1芯部(54)的侧面的第2芯部(55)，金属膜(51)配置于芯部(23)的侧面(23g)，从Z方向观察，金属膜(51)与芯部(23)的界面的宽度(W1)形成得比芯部(23)的侧面(23g)的宽度(W3)小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用对光束进行会聚后的近场光在磁记录介质上记录再现各种信息的近场光产生元件、近场光产生元件的制造方法、近场光头、近场光头的制造方法以及信息记录再现装置。
技术介绍
近些年来，伴随计算机设备中的硬盘等的容量的增加，单一记录面内的信息记录密度也得以增加。例如，为了增加磁盘每单位面积的记录容量，需要提高面记录密度。 然而随着记录密度变高，记录介质上每一比特所占的记录面积也会变小。当该比特大小变小时，1比特信息所具备的能量接近室温的热能，会产生所记录的信息因热波动(Heat fluctuation)等而反转或消失等热退磁的问题。在通常使用的面内记录方式中，采取的是磁化方向朝向记录介质的面内方向而进行磁记录的方式，而该方式易于因上述热退磁引起记录信息的消失等。于是，为了解决这种不良情况，近些年来采用了在垂直于记录介质的方向上记录磁化信号的垂直记录方式。该方式是基于使单磁极接近记录介质的原理记录磁信息的方式。根据该方式，记录磁场朝向大致垂直于记录膜的方向。关于通过垂直磁场记录的信息，在记录膜面内，N极和S极不容易产生循环，易于保持能量稳定。因而该垂直记录方式相对于面内记录方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：平田雅一，千叶德男，大海学，篠原阳子，田边幸子，田中良和，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：