近场光产生元件、光头及其制造方法和信息记录再现装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供可精度良好地对近场光产生部和芯体进行定位来提高近场光的产生效率的近场光产生元件、光头及其制造方法和信息记录再现装置。本发明专利技术的特征在于，具有：第1包层形成工序，在基板(120)上形成第1包层(24a)；近场光产生部形成工序，在第1包层(24a)上形成金属膜母材(151)；芯体形成工序，形成芯体母材，以覆盖金属膜母材(151)；构图工序，对芯体母材和金属膜母材(151)进行构图，形成芯体(23)和金属膜(51)；以及第2包层形成工序，形成第2包层(24b)，以在与第1包层(24a)之间夹持芯体(23)，在构图工序中，将芯体母材和金属膜母材(151)在同一工序中一并进行构图。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用会聚光束而得到的近场光来在磁记录介质上对各种信息进行记录再现的近场光产生元件、和近场光产生元件的制造方法、近场光头、近场光头的制造方法以及信息记录再现装置。
技术介绍
近年，伴随计算机设备中的硬盘等的容量增加，单一记录面内的信息记录密度增加。例如，为了增大磁盘的每单位面积的记录容量，有必要提高面记录密度。然而，随着记录密度增高，在记录介质上每1个比特所占的记录面积减小。当该比特尺寸减小时，1比特的信息具有的能量接近室温的热能，产生所记录的信息由于热扰动等而反转或者消失等的热退磁问题。一般使用的面内记录方式是使磁化方向朝向记录介质的面内方向来进行磁记录的方式，然而该方式容易产生由上述热退磁引起的记录信息消失等。因此，为了消除这种不良情况，近年来采用在与记录介质垂直的方向上记录磁化信号的垂直记录方式。该方式是利用使单磁极接近记录介质的原理来记录磁信息的方式。根据该方式，记录磁场朝向大致垂直于记录膜的方向。关于利用垂直磁场来记录的信息，由于在记录膜面内N极和S极难以形成环路，因而在能量方面容易保持稳定。因此，该垂直记录方式与面内记录方式相比， 抗热退磁能力变强。然而，近年的记录介质受到想要进行更大量且高密度的信息的记录再现等的需求，要求进一步的高密度化。因此，为了将相邻磁区之间的影响、热扰动抑制到最小限度，开始采用矫顽磁力强的材料作为记录介质。因此，即使是上述的垂直记录方式，也很难在记录介质上记录信息。因此，为了消除上述的不良情况，提供了这样的混合磁记录方式的记录再现头利用会聚光而得到的光点(spot)光或者近场光来对磁区进行局部加热以临时降低矫顽磁力，在其期间内进行记录介质的写入。这样的记录再现头中的利用近场光的记录再现头(以下称为近场光头)主要具有滑块；记录元件，其具有配置在滑块上的主磁极和辅助磁极；近场光产生元件，其由所照射的激光产生近场光；激光光源，其向近场光产生元件照射激光；以及光波导路，其将从激光光源发出的激光引导到近场光产生元件(例如，参照专利文献1)。近场光产生元件具有光束传播元件，其具有使激光在反射的同时进行传播的芯体、及与芯体密合并密封芯体的包层；以及金属膜，其配置在芯体和包层之间，由激光产生近场光。芯体以如下方式收缩成形与从一端侧(光入射侧)朝向另一端侧(光出射侧)的激光的传播方向垂直的截面面积逐渐减少，并且使激光在会聚的同时向另一端侧传播。然后，在芯体的另一端侧的侧面配置上述的金属膜。在利用这样构成的近场光头的情况下，在产生近场光的同时施加记录磁场，从而在记录介质上记录各种信息。即，从激光光源出射的激光经由光波导路入射到光束传播元5件内。然后，入射到光束传播元件的激光在芯体内传播并到达金属膜。于是，在金属膜中， 由于内部的自由电子借助激光均勻振动，因而激励等离子体激元(plasmon)，在使近场光局部存在于芯体的另一端侧的状态下产生近场光。结果，磁记录介质的磁记录层由近场光局部加热，矫顽磁力暂时下降。并且，通过在上述的激光照射的同时将驱动电流提供给记录元件，对接近主磁极前端的磁记录介质的磁记录层局部地施加记录磁场。结果，可将各种信息记录在矫顽磁力临时下降的磁记录层上。也就是说，可通过近场光和磁场的共同作用，进行磁记录介质的记录。专利文献1日本特开2008-152897号公报专利文献2日本特许第3820849号公报另外，为了制造上述的光束传播元件，公知有例如专利文献2所示的方法。具体地说，首先在基板的侧面上形成下包层，并在下包层上形成截面矩形状的芯体。之后，将芯体在等离子体中进行溅射蚀刻，形成截面三角形状的芯体，在其上堆积上包层。然后，为了使用该方法来在芯体的侧面形成金属膜，考虑了这样的方法在下包层上对金属膜进行了构图之后，使用与上述的专利文献2相同的方法来形成芯体和上包层。然而，由于金属膜和芯体是非常细微的图案(各自尺寸是几十nm左右)，因而存在各自的定位困难的问题。并且，在金属膜和芯体定位偏离的情况下，在芯体内传播来的激光不会入射到金属膜而从芯体泄漏，存在近场光的产生效率下降的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术是考虑到上述情况而完成的，本专利技术的目的是提供可精度良好地对近场光产生部和芯体进行定位来提高近场光的产生效率的近场光产生元件、和近场光产生元件的制造方法、近场光头、近场光头的制造方法以及信息记录再现装置。本专利技术提供以下手段来解决上述课题。本专利技术涉及的近场光产生元件使导入到一端侧的光束朝另一端侧在会聚的同时进行传播，并在生成为近场光之后发出到外部，该近场光产生元件的特征在于，该近场光产生元件具有芯体，其使所述光束向所述另一端侧传播；以及近场光产生部，其沿着所述芯体中的从所述一端侧到另一端侧的所述光束的传播方向配置，使所述光束沿着该近场光产生部与所述芯体的界面传播，由所述光束产生所述近场光，所述芯体具有沿着所述传播方向延伸的多个侧面，所述多个侧面包括配置有所述近场光产生元件的一侧面；以及从所述传播方向观察时在所述一侧面的两侧沿着与所述一侧面的面方向交叉的方向配置的其他侧面，从所述传播方向观察时，在与所述芯体的所述其他侧面相同的面上配置有所述近场光产生部的两端面。根据该结构，由于芯体和近场光产生部配置为从垂直于传播方向的方向观察时彼此重合，因而能够使传播到芯体的另一端侧的光束无泄漏地入射到近场光产生部。因此，能够提高近场光的产生效率。并且，本专利技术的近场光产生元件的制造方法是如下近场光产生元件的制造方法， 该近场光产生元件使导入到一端侧的光束朝另一端侧在会聚的同时进行传播，并在生成为近场光之后发出到外部，该近场光产生元件具有芯体，其使所述光束向所述另一端侧传播；以及近场光产生部，其沿着所述芯体中的从所述一端侧到另一端侧的所述光束的传播方向配置，使所述光束沿着该近场光产生部与所述芯体的界面传播，由所述光束产生所述近场光，该近场光产生元件的制造方法的特征在于，该制造方法具有近场光产生部形成工序，形成所述近场光产生部的母材；芯体形成工序，形成所述芯体的母材，以覆盖所述近场光产生部；以及构图工序，对所述芯体的母材和所述近场光产生部的母材进行构图，形成所述芯体和所述近场光产生部，在所述构图工序中，在同一工序中对所述芯体的母材和所述近场光产生部的母材一并进行构图。在该结构中，在同一构图工序中对芯体和近场光产生部一并进行构图，由此从传播方向观察时芯体的其他侧面和近场光产生部的两端面配置在相同的面上。即，从垂直于传播方向的方向观察时，芯体和近场光产生部形成为重合。由此，例如，与分别在不同工序中对芯体和近场光产生部进行构图的情况不同，能够精度良好地对近场光产生部和芯体进行定位。因此，能够使传播到芯体的另一端侧的光束无泄漏地入射到近场光产生部，因而可提高近场光的产生效率。并且，特征在于，在所述近场光产生部形成工序的前阶段具有第1遮光膜形成工序，所述第1遮光膜形成工序至少在所述近场光产生部的形成区域内形成第1遮光膜，在所述构图工序中，对所述第1遮光膜与所述芯体的母材以及所述近场光产生部的母材一并进行构图。根据该结构，通过使在近场光产生部不产生等离子体激元共振而透过了近场光产生部的光束反射并返回到芯体内，能够再次使光束入射到近场光产生部。由此，可进一步提高近场光的产生效率。并且，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：平田雅一，大海学，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：