制造背接触式光伏电池的方法及由该方法制得的背接触式光伏电池技术

用于制造光伏电池的方法，其包括：提供第一传导类型的半导体基底；在所述半导体基底的正面与背面之间形成至少一个通孔；于所述背面在所述至少一个通孔上方施加正面接触金属膏，所述正面接触金属膏包含第一接触金属；对所述半导体基底退火，从而熔化所述第一接触金属，并在退火期间至少在所述至少一个通孔的壁上形成所述第一接触金属与半导体基底材料的合金。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造背接触式光伏电池的方法。此外，本专利技术还涉及背接触式光伏电 池。
技术介绍
基于单晶或多晶硅晶片的背接触式光伏电池或太阳能电池包括镀金属方案，其 中正极和负极接触电极均设置在太阳能电池的背面。该镀金属方案采用镀金属穿孔卷绕 (MWT)或发射极穿孔卷绕(EWT)以将接触电极引至背面，从而在太阳能电池在使用中朝向 辐射源(例如太阳)的正面上具有最大的用于光伏转化的面积。太阳能电池的顶层借助一 个或多个在延伸通过晶片的孔(也称作“通孔vias”)中的金属插头与电池背面上的正面 接触电极相连。现有技术的背接触式太阳能电池的缺点在于，出于一些原因效率较低。已知在传统MWT或EWT技术中，穿过通孔的电导可以比较小。通常是借助将金属 膏压入通孔中的丝网印刷法对通孔实施镀金属。通过该方法难以用金属完全填充通孔。因 此，由于电导低，太阳能电池的效率降低。由国际申请W05076960已知通过在丝网印刷法前采用扩散法掺杂通孔壁而提高 通孔内的电导。必须设置扩散法以获得与太阳能电池的正面层的最佳(低)掺杂剂浓度相 比，具有更高掺杂剂浓度的通孔壁。因为需要额外的生产步骤，所以用于通孔的该本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制造光伏电池的方法，其包括：－提供第一传导类型的半导体基底；－在所述半导体基底的正面与背面之间形成至少一个通孔；－于所述背面在所述至少一个通孔上方施加正面接触金属膏，所述正面接触金属膏包含第一接触金属；－对所述半导体基底退火，从而熔化所述第一接触金属，并在退火期间至少在所述至少一个通孔的壁上形成所述第一接触金属与半导体基底材料的合金。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：VD米哈伊利奇，
申请(专利权)人：荷兰能源建设基金中心，
类型：发明
国别省市：NL