使用含有金离子和氟离子的溶液形成金属硅化物的方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总的来说涉及电子设备的制造，例如，特别是数据的储存和一般传输用的 用于USB密钥、MS卡和SD卡中的可擦除NAND存储器的制造。 本专利技术涉及通过在硅上化学沉积金属来制造金属硅化物。特别地，其涉及包含相 对于其表面垂直交替的电介质和半导体层的基板的活化，用于利用通过无电镀工艺（也被 称为自动催化法）沉积的薄金属层的后续涂布。
技术介绍
硅化镍通常通过汽相法在硅基板上沉积镍膜随后进行快速热退火（RTA)来形成。 在通常为400~750°C的数量级的温度下的这种热退火期间，镍迀移到硅层中以形成硅化 镍。没有迀移到硅中并且仍然保留在基板的表面上的镍随后可以通过选择性的化学清洗来 去除，而不会损坏所形成的硅化物。 硅化镍特别地用于VLSI集成电路中所使用的半导体器件相互连接的制造。硅化 镍沉积层对于制造NAND存储器和M0S晶体管也有用。 NAND闪存存储器将信息储存在由串联连接的浮栅晶体管（M0S)构成的存储单元 的网络中。在三维NAND中，希望能够在高宽比非常高的结构（特别是具有几十纳米的开口 和几微米的深度的孔洞）的整个表面上产生具有均匀厚...
【技术保护点】
一种用于形成硅化镍或硅化钴的方法，包括以下步骤：‑使含硅基板的表面与包含金离子和氟离子的水溶液接触，从而形成金属金颗粒，‑通过无电镀途径在覆盖有金属金颗粒的所述基板上沉积基本上由镍或钴构成的层，‑在300℃～750℃之间的温度下施加快速热退火，从而形成硅化镍或硅化钴，其特征在于，所述水溶液包含选自含有至少一种阴离子或非离子极性基团并含有10～16个碳原子的烷基链的化合物的表面活性剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：文森特·梅费里克，多米尼克·祖尔，
申请(专利权)人：埃其玛公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR
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