一种低成本、规模化生产的背接触电池制造技术

本发明专利技术公开了一种低成本、规模化生产的背接触电池，包括硅片基体，硅片基体的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层，P型掺杂层的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层，N型非晶硅层上覆盖有氮化硅钝化膜，P型掺杂层上覆盖有氮化硅钝化膜，硅片基体的背面还印刷有金属栅线；所述硅片基体的正面覆盖有氮化硅膜，所述N型非晶硅层的外表面依次层叠设有EVA膜、导电薄膜、玻璃基体，EVA膜与导电薄膜之间设有导电胶体，导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体的背面接触。本技术方案所述新型背接触电池，其结构简单，便于制作，在一定程度上降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池工程领域，具体涉及一种低成本、规模化生产的背接触电池。
技术介绍
在全球能源危机的大背景下，太阳能电池以其特有的光生伏特效应和无污染成为绿色能源领域的璀璨新星。这种可将无处不在的太阳能转换成电能并未人类所利用的强大特性，引起全世界学者们的不断探索与应用。其中背接触太阳能电池更是得到快速的发展。随着光伏产业的不断发展，降低发电成本，提高电池效率是降低成本的关键。背接触电池由于正电极及背电极都在电池背面，其封装不同于传统的封装工艺，生产成本高，工艺过程复杂，不利于规模化生成。基于此，研究并开发设计一种降低成本的新型背接触太阳能电池。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低成本、规模化生产的背接触电池。本专利技术通过下述技术方案实现：一种低成本、规模化生产的背接触电池，包括硅片基体，硅片基体的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层，P型掺杂层的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层，N型非晶硅层上覆盖有氮化硅钝化膜，P型掺杂层上覆盖有氮化硅钝化膜，硅片基体的背面还印刷有金属栅线；所述硅片基体的正面覆盖有氮化硅膜，所述N型非晶硅层的外表面依次层叠设有EVA膜、导电薄膜、玻璃基体，EVA膜与导电薄膜之间设有导电胶体，导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体的背面接触。优选，所述导电薄膜为石墨烯膜。优选，所述玻璃基体为钢化玻璃板。优选，所述EVA膜的厚度为0.1mm。优选，所述金属栅线的宽度为1.5—1.9mm。本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：1、本申请通过在硅片基体上形成N型非晶硅层，N型非晶硅层具有良好的氢钝化效果和场钝化效果，N型非晶硅层作为背接触电池中的电场，提高钝化效果，电池效率增加，从而降低了太阳能电池的成本。2、本技术方案所述新型背接触电池，其结构简单，便于制作，在一定程度上降低了成本。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定。在附图中：图1为本专利技术的结构示意图；附图中标记及对应的零部件名称：1-硅片基体，2-金属栅线，3-氮化硅膜，4-N型非晶硅层，5-P型掺杂层，6-EVA膜，7-导电薄膜，8-玻璃基体。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。实施例1：如图1所示，本实施例一种低成本、规模化生产的背接触电池， 包括硅片基体1，硅片基体1的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层5，P型掺杂层5的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层4，N型非晶硅层4上覆盖有氮化硅钝化膜，P型掺杂层5上覆盖有氮化硅钝化膜，硅片基体1的背面还印刷有金属栅线2；所述硅片基体1的正面覆盖有氮化硅膜3，所述N型非晶硅层4的外表面依次层叠设有EVA膜6、导电薄膜7、玻璃基体8，EVA膜6与导电薄膜7之间设有导电胶体，导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体1的背面接触。其中氮化硅钝化膜的设置，主要为了保护P型掺杂层5和N型非晶硅层4，防止其受到损伤。其中，为了减小太阳能电池在使用过程中光的反射率，提高短路电流，增加太阳能电池的光电转换效率，在硅片基体的正面覆盖氮化硅膜3。实施例2：在实施例1的基础上，进一步限定，所述导电薄膜7为石墨烯膜，导电薄膜7还可以为铜膜、铝膜等，导电薄膜7为一种能导电的薄膜，能实现一些特定的电子功能。本实施例中涉及到的其他结构及其功能为所属领域的公知常识，不再详述。实施例3：本实施例在上述实施例的基础上，进一步限定，所述玻璃基体8为钢化玻璃板。所述EVA膜2的厚度为0.1mm。EVA膜又为EVA胶膜，是一种热固性有粘性的胶膜，用于放在夹胶玻璃中间，具有良好的粘着力，耐久性和光学特性。所述金属栅线2的宽度为1.5—1.9mm，金属栅线2的主要作用是收集电流，设置该宽度，通过大量实验得出，能够获得较高的收集效率，且能够降低生产成本。（1）本实施例通过在硅片基体上形成N型非晶硅层，N型非晶硅层具有良好的氢钝化效果和场钝化效果，N型非晶硅层作为背接触电池中的电场，提高钝化效果，电池效率增加，从而降低了太阳能电池的成本。（2）本实施例所述新型背接触电池，其结构简单，便于制作，在一定程度上降低了成本。以上所述的具体实施方式，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施方式而已，并不用于限定本专利技术的保护范围，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低成本、规模化生产的背接触电池，其特征在于，包括硅片基体（1），硅片基体（1）的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层（5），P型掺杂层（5）的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层（4），N型非晶硅层（4）上覆盖有氮化硅钝化膜，P型掺杂层（5）上覆盖有氮化硅钝化膜，硅片基体（1）的背面还印刷有金属栅线（2）；所述硅片基体（1）的正面覆盖有氮化硅膜（3），所述N型非晶硅层（4）的外表面依次层叠设有EVA膜（6）、导电薄膜（7）、玻璃基体（8），EVA膜（6）与导电薄膜（7）之间设有导电胶体，导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体（1）的背面接触。

【技术特征摘要】
1.一种低成本、规模化生产的背接触电池，其特征在于，包括硅片基体（1），硅片基体（1）的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层（5），P型掺杂层（5）的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层（4），N型非晶硅层（4）上覆盖有氮化硅钝化膜，P型掺杂层（5）上覆盖有氮化硅钝化膜，硅片基体（1）的背面还印刷有金属栅线（2）；所述硅片基体（1）的正面覆盖有氮化硅膜（3），所述N型非晶硅层（4）的外表面依次层叠设有EVA膜（6）、导电薄膜（7）、玻璃基体（8），EVA膜（6）与导电薄膜（7）之间设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：张杰，
申请(专利权)人：四川英发太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51