当前位置: 首页 > 专利查询>太阳能公司专利>正文

背接触薄片电池制造技术

技术编号:8730058 阅读:191 留言:0更新日期:2013-05-25 15:43
一种太阳能电池,使用硅晶片(101)的薄片(130)作为衬底。薄片(130)具有在正常操作期间面向太阳的正面。薄片(130)的正面包括来自沿晶片(101)的厚度的表面,从而允许更有效地使用硅。薄片(130)的背面上形成金属接触(114和115)。金属接触(114和115)电连接至太阳能电池的发射极和基极,太阳能电池的发射极和基极可以形成在薄片(130)内或者由多晶硅制成。例如,太阳能电池的发射极可以是P型掺杂区域(125),太阳能电池的基极可以是N型掺杂区域(124)。太阳能电池还可以包括形成在所述薄片(130)的正面上的抗反射涂层(107)。抗反射涂层(107)可以位于薄片(130)的正面上的纹理表面之上。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及太阳能电池,更具体地,涉及但不限于太阳能电池的制造工艺和结构。
技术介绍
太阳能电池是已知的用于将太阳辐射转换为电能的装置。薄片电池是由单晶硅薄片制成的太阳能电池。当前可得到的薄片电池通过微细加工延伸通过硅晶片的厚度的窄凹槽来制成。在从晶片切割下来的长片(即,薄片)上制造太阳能电池。与其他太阳能电池的设计相比,这允许使用较少的娃来制造薄片电池。可以从澳大利亚的Origin Energy公司获得薄片电池。
技术实现思路
本公开涉及改进的薄片电池的设计和制造工艺。太阳能电池使用硅晶片的薄片作为衬底。薄片具有在正常操作期间面对太阳的正面。薄片的正面包括始于沿晶片的厚度的表面,以允许硅的更有效使用。在薄片的背面上形成金属接触。金属接触电连接至太阳能电池的发射极和基极,太阳能电池可以形成在薄片内或者可以由多晶硅制成。例如,太阳能电池的发射极可以是P型掺杂区域,太阳能电池的基极可以是N型掺杂区域。太阳能电池可以包括形成在薄片的正面上的抗反射涂层。抗反射涂层可以在薄片正面上的纹理表面之上。通过阅读本公开整体,包括附图和权利要求,本专利技术的这些和其他特征对本领域普通技术人员来说将显而易本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池,包括:硅晶片的薄片,所述薄片具有正面和背面,所述薄片的正面被配置为在正常操作期间面向太阳,所述薄片的背面与薄片的正面相反,所述薄片的正面包括来自沿所述硅晶片的厚度的表面;第一材料层,其形成在所述薄片的背面上;第一掺杂区域,配置为所述太阳能电池的基极;第二掺杂区域,其形成在所述第一材料层上并且配置为所述太阳能电池的发射极;以及第一金属接触和第二金属接触,形成在所述薄片的背面上,第一金属接触电耦合至第一掺杂区域,第二金属接触电耦合至第二掺杂区域。

【技术特征摘要】
2009.02.24 US 12/392,0031.一种太阳能电池,包括: 硅晶片的薄片,所述薄片具有正面和背面,所述薄片的正面被配置为在正常操作期间面向太阳,所述薄片的背面与薄片的正面相反,所述薄片的正面包括来自沿所述硅晶片的厚度的表面; 第一材料层,其形成在所述薄片的背面上; 第一掺杂区域,配置为所述太阳能电池的基极; 第二掺杂区域,其形成在所述第一材料层上并且配置为所述太阳能电池的发射极;以及 第一金属接触和第二金属接触,形成在所述薄片的背面上,第一金属接触电耦合至第一掺杂区域,第二金属接触电耦合至第二掺杂区域。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述第一材料层包括多晶硅。3.根据权利要求2所述的太阳能电池,还包括: 电介质层,位于所述多晶硅与所述薄片的背面之间。4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中所述电介质层包括氧化层。5.根据权利要求1所述的太阳能电池,还包括: 形成在第一材料层上的第二材料层。6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中所述第二材料层包括二氧化硅。7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述薄片的正面具有纹理表面。...

【专利技术属性】
技术研发人员:彼得·约翰·卡曾斯
申请(专利权)人:太阳能公司
类型:新型
国别省市:美国;US

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1