包括金属覆盖穿通以及改进的钝化的光生伏打电池制造技术

一种光生伏打器件，其包括半导体基片，所述基片包括接受辐射的前表面以及后表面，一种导电类型的第一区（２９），以及与前表面相邻的具有相反导电类型的第二区（２０），以及减反射层（２７）。后表面被介电层（３９）覆盖，所述介电层还覆盖所述通孔的内表面。所述前表面包括收集电流的导电接触件（２３），所述后表面包括穿过所述电介质的导电接触件（３１）。在通孔中提供了导电路径，用来传导来自前表面的光生电流。由于各处有电介质，无需对准和掩蔽，而且该电介质还用来绝缘，为半导体提供热保护，以及帮助表面和整体钝化。还避免了将结区设置在通孔附近的需求，因此减少了不希望出现的复合电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池之类的光生伏打器件。更具体来说，本专利技术涉及由特别的 钝化方案改进的金属覆盖穿通(metal wrap through)太阳能电池，还涉及用来制造所述太 阳能电池的有成本效益的方法。
技术介绍
根据一般结构，可以将现有技术中描述的大部分太阳能电池分为几类。其中的一类是所谓的后接触太阳能电池，这意味着与太阳能电池的两个相反掺杂 区的欧姆接触都设置在太阳能电池的背面，即未受照射的表面上。这一原理避免或减少标 准太阳能电池上的前金属接触格栅造成的遮蔽损失。制造后接触太阳能电池的最直接的方法是将相反掺杂的半导体区之间的载流子 收集结设置在靠近电池的后表面(“背面结(back-junction) ”电池)。文献“1127. 5%硅 聚能器太阳能电池(1127. 5-Percent Silicon ConcentratorSolar Cells) (R. A. Sinton, Y. Kwark, J. Y. Gan, R. Μ. Swanson, IEEE ElectronDevice Letters,第 ED-7 卷，第 10 其月，1986 年10月)描述了这样的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光生伏打器件，其包括：半导体层（２９），该半导体层包括用来接受入射光的前表面，以及与所述前表面相背的后表面，位于所述前表面上的用来收集电流的前接触件（２３），位于器件后侧的后汇流条（３３），用于在前侧上收集的电流；穿过半导体层的通孔（２５），所述通孔包括导电路径，用来将所述前接触件与后汇流条连接，位于半导体层的后表面上的介电层（３９），用于所述半导体层的后表面的后接触件（３１），其延伸穿过所述介电层，到达半导体层，其中，所述介电层还覆盖所述通孔的内表面，将所述导电路径与所述半导体层绝缘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2007-12-3 07122152.7;US 2007-12-4 60/992,298一种光生伏打器件，其包括半导体层(29)，该半导体层包括用来接受入射光的前表面，以及与所述前表面相背的后表面，位于所述前表面上的用来收集电流的前接触件(23)，位于器件后侧的后汇流条(33)，用于在前侧上收集的电流；穿过半导体层的通孔(25)，所述通孔包括导电路径，用来将所述前接触件与后汇流条连接，位于半导体层的后表面上的介电层(39)，用于所述半导体层的后表面的后接触件(31)，其延伸穿过所述介电层，到达半导体层，其中，所述介电层还覆盖所述通孔的内表面，将所述导电路径与所述半导体层绝缘。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述半导体层包括扩散区(20)，扩散区通过 从前表面扩散而形成，以使所述扩散区在通孔附近不更深地延伸到半导体层中。3.如权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述介电层包含低质量氧化物层，所述 低质量氧化物层包含以下材料中的任意一种=APCVD氧化物，火成岩氧化物，旋涂氧化物， 喷涂氧化物，浸渍氧化物，氧化硅，TiO2,通过溶胶-凝胶沉积的TiO2,或者Al203/Ti02伪二 元合金(PBA)。4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，该器件包括位于所述介电层上的后侧钝化 层(28)。5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述后侧钝化层至少延伸进入通孔的一部分。6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，所述后侧钝化层包含氢化的SiN。7.如权利要求6所述的器件，其特征在于，所述氢化的SiN层的厚度大于100纳米。8.如以上权利要求中任一项所述的器件，其特征在于，在未形成图案和未与通孔对准 的情况下，所述介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：F德罗斯，C阿尔贝，J什勒夫奇克，G博卡恩，
申请(专利权)人：IMEC公司，光伏技术公司，
类型：发明
国别省市：BE[比利时]