硅太阳能电池片的背电场结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅太阳能电池片的背电场结构，该背电场的四个边角为圆弧连接，通过本设计显著降低了烧结过程中产生的应力，减少甚至消除了脱落。实践证明：运用这个设计后背场印刷质量得到有效提高，背场小边角脱落比例大大降低，由０．７６％降低至０．０８％。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种硅太阳能电池片的背电场结构。
技术介绍
目前丝网印刷背场时，背场图案为方形，边角为倒角，这样在烧结的过程中会 产生应力，从而容易造成浆料脱落，影响背电场外观，甚至会影响效率。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是减少乃至消除硅太阳能电池片背电场的脱落。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种硅太阳能电池片的背电 场结构，背电场的四个边角为圆弧连接。本技术的有益效果是通过本设计显著降低了烧结过程中产生的应力，减 少甚至消除了脱落。实践证明运用这个设计后背场印刷质量得到有效提高，背场小边 角脱落比例大大降低由0.76%降低至0.08%。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明；附图说明图1是改进前背电场的结构示意图；图2是改进后背电场的结构示意图；其中1.硅太阳能电池背面，2.背电场。具体实施方式现在结合附图1、2对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示 意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构 成。如图1和2所示，一种硅太阳能电池片的背电场结构，通过丝网印刷把铝浆印刷 在硅太阳能电池背面形成，在硅太阳能电池背面1的背电场2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅太阳能电池片的背电场结构，其特征是：所述的背电场（２）的四个边角为圆弧连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程亮，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32