【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型太阳能光伏电池芯片的电极结构，该专利技术是将太阳能光伏电 池芯片的电极形状设计成非等宽度，属于太阳能发电
技术介绍
在太阳能电池芯片的制作过程中，电极的设计和制作直接影响着整个太阳能电池 芯片的性能。本专利技术针对太阳能电池芯片的电极结构，设计一种非等宽度电极。太阳能电池芯片的电极布线如果太密，电阻率虽然小了，但遮挡了太阳照射的有 效面积。布线如果太稀，虽然照射面积大了，可电阻率又变大了，所以必须找到合适的布线 设计。与上电极相关的功率损失包括表面扩散层的电阻性功率损耗、电极的电阻性功率损 耗、金属与半导体接触电阻和电极对太阳光遮蔽所引起的损耗。前三部分是影响太阳能电 池串联电阻的主要因素，而串联电阻又是影响电池性能的一个很重要的因素。因此，在太阳 能电池芯片的设计过程中，上表面电极对电池芯片输出性能的影响十分显著，通过对电极 进行优化设计，可以减少整个电池芯片的串联电阻，提高电池芯片的填充因子和光电转换 效率。对于第四部分，目前太阳能电池芯片上分布着等宽度电极，如矩形电极。由于这种电 极在太阳能电池芯片中心和边缘位置处的宽度相同...
【技术保护点】
新型太阳能光伏电池芯片的电极结构，其特征在于：包括多级径向电极、边缘电极和太阳能电池芯片；其中：边缘电极固定于太阳能电池的边缘；径向电极的形状是非等宽度的梯形、三角形、曲边梯形、曲边三角形；径向电极按照太阳能电池芯片面积的大小和不同的长短分为若干级，最长且面积最大的为第一级电极，次长且面积次大的为第二电极，依此类推，多级径向电极以辐射状均匀对称分布在太阳能电池芯片上且与边缘电极相连，多级电极靠近太阳能电池芯片中心位置处窄，边缘位置处宽；所述的多级径向电极的每一级的根数都成倍数关系。
【技术特征摘要】
1.新型太阳能光伏电池芯片的电极结构，其特征在于包括多级径向电极、边缘电极 和太阳能电池芯片；其中边缘电极固定于太阳能电池的边缘；径向电极的形状是非等宽 度的梯形、三角形、曲边梯形、曲边三角形；径向电极按照太阳能电池芯片面积的大小和不 同的长短分为若干级，最长且面积最大的为第一级电极，次长且面积次大的为第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：王智勇，尧舜，谭祺瑞，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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