本发明专利技术公开了一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其关键是在现有Ｇｅ／ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＧａＰ三结太阳能电池材料体系之上增加具有高禁带宽度的ＡｌＰＳｂ材料次顶电池和更高禁带宽度的ＺｎＳＳｅ材料顶电池。ＡｌＰＳｂ材料次顶电池和ＺｎＳＳｅ材料顶电池附加到现有Ｇｅ／ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＧａＰ三结太阳能电池芯片之上能够扩展太阳能电池芯片的吸收谱范围，有效解决现有太阳能电池芯片对太阳辐射分布于可见光及紫外波段的大量能流无法充分吸收的问题，提高多结太阳能电池的光电转换效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到一种太阳能光伏电池芯片结构，具体来说涉及到一种五结化合物半 导体太阳能光伏电池芯片结构，属于半导体光电子
技术介绍
当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急，能源问题日益成为制约国际社会经 济发展的瓶颈时，太阳能以其取之不尽、用之不竭和零污染的特性而受到特别关注。从长远 来看，随着太阳能电池制造技术的改进以及新的光-电转换装置的专利技术，结合各国对环境 的保护和对再生清洁能源的巨大需求，太阳能电池将是人类利用太阳辐射能最为切实可行 的途径，它为人类未来大规模地利用太阳能开辟广阔的前景。目前，太阳能电池的应用已从 军事领域、航天领域进入工业、商业、农业、通信、家用电器以及公用设施等部门，尤其可以 分散地在边远地区、高山、沙漠、海岛和农村使用，以节省造价昂贵的输电线路。但是，现有太阳能电池光电转换效率相对较低制约了其进一步广泛应用于实际 工作、生活中，这是由于太阳辐射能流非对称分布于以500nm左右波长为峰值的，从紫外 200nm波段到远红外2600nm波段的较宽光谱范围内，特别是在我国西藏、新疆等高海拔或 高纬度地区，太阳辐照能流更是大量集中于短波长可见光及紫外光波段部分。而目前多结 太阳能电池芯片中顶电池禁带宽度限制在1. 9ev左右，对应吸收波长为650nm左右，当短波 部分波长远离该吸收波长后，吸收效率下降导致太阳辐射能流中位于可见光及紫外波段内 部包含的大量能量未能获得有效吸收、利用。因此如何提高太阳能电池芯片对太阳可见光、 紫外光谱中尚未获得充分利用的能量吸收成为提高现有太阳能电池光电转换效率，推动、 高效太阳能电池发展，进而促进这一绿色能源得以广泛应用的关键。
技术实现思路
为了扩展太阳能电池芯片的吸收谱范围，充分吸收太阳辐射分布于可见光及紫外 波段的大量能流，提高太阳能电池的光电转换效率，本专利技术提供了一种以ZnSSe材料作为 顶电池，AlPSb材料作为紧邻顶电池下方的次顶电池的五结化合物半导体太阳能光伏电池 芯片结构。本专利技术的目的是由以下的技术方案实现的锗(Ge)单晶片1为衬底依次生长底电池(p-Ge，n-Ge)，成核层(GaAs)，缓冲层 (GaInAs)，势垒层(n-GalnAs)，第一隧道结(n++AlGaAs, p++GaInAs)，势垒层(p+GalnAs)， 第二 结电池(P-GaInAs，n-GalnAs)，第一窗口层(n+AlGalnP/AlInAs)，第二 隧道结 (n++GaInAs, p++AlGaAs)，第二势垒层(p+GalnP)，第三结电池(p-GalnP，n-GalnP)，第二窗 口层(n+AlPSb)，第三隧道结(n++AlPSb，p++AlPSb)，第三势垒层(n+AlPSb)，第四结电池 (ρ-AlPSb，n-AlPSb)，第三窗口层(n+AlPSb)，第四隧道结(n++ZnSSe，p++ZnSSe)，第四势垒 层(n+ZnSSe)，顶电池(p-ZnSSe，n_ZnSSe)，第四窗口层(n+ZnSSe)，欧姆接触层(n+ZnSSe)。本专利技术公开的五结化合物半导体太阳能光伏电池，采用半导体单晶片为衬底，采3用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池芯片，在现 有Ge/GalnAs/InGaP三结太阳能电池外延材料体系之上增加生长获得AlPSb次顶电池和 ZnSSe材料顶电池，充分吸收太阳辐射分布于可见光及紫外波段的大量能流，提高太阳能电 池的光电转换效率。附图说明图1五结化合物半导体太阳能光伏电池示意图。图中1、单晶片，2、底电池，3、成核层，4、缓冲层，5、第一势垒层，6、第一隧道结，7、第二势垒层，8、第二结电池，9、第一窗口层，10、第二隧道结，11、第三势垒层，12、第三结电 池，13、第二窗口层，14、第三隧道结，15、第四势垒层，16、第四结电池，17、第三窗口层，18、 第四隧道结，19、第五势垒层，20、顶电池，21、第四窗口层，22、欧姆接触层。具体实施例方式为了进一步说明本专利技术的结构和特征，以下结合实施例及附图对本专利技术作进一 步的说明。如图1所示，五结化合物半导体太阳能光伏电池采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法，以锗(Ge)单晶片1为衬底依次生长底电池(p_Ge，n-Ge) 2，成核层(GaAs)3， 缓冲层(GaInAs) 4，第一势垒层(n-GalnAs) 5，第一隧道结(n++AlGaAs，p++GaInAs) 6，第二 势垒层(p+GaInAS)7(7与5的名称重复，所以后面的第二势垒层所针对的第一就会出现指 代不清的情况。)，第二结电池(p-GaInAs，n-GaInAs)8，第一窗口层(n+AlGalnP/AlInAs)9， 第二隧道结(n++GaInAs，p++AlGaAs) 10，第三势垒层(p+GalnP) 11，第三结电池(p-GalnP， n-GaInP)12，第二窗口层(n+AlPSb) 13，第三隧道结(n++AlPSb，p++AlPSb) 14，第四势垒层 (n+AlPSb)15，第四结电池(p-AlPSb，n-AlPSb) 16，第三窗口层(n+AlPSb) 17，第四隧道结 (n++ZnSSe, p++ZnSSe) 18，第五势垒层(n+ZnSSe) 19，顶电池(p-ZnSSe, n-ZnSSe) 20，第四窗 口层(n+ZnSSe) 21，欧姆接触层(n+ZnSSe)22。在生长具有AlPSb和ZnSSe的五结太阳电池 芯片之后，采用常规的光刻、镀膜和划片工艺制成太阳电池芯片。本专利技术五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其关键是在现有Ge/GalnAs/ InGaP三结太阳能电池芯片材料体系之上增加了具有高禁带宽度的ZnSSe材料顶电池， AlPSb材料次顶电池，实现太阳能电池芯片的吸收谱范围的扩展，有效解决现有太阳能电池 芯片对太阳辐射分布于可见光及紫外波段的大量能流无法充分吸收的问题，提高多结太阳 能电池芯片的光电转换效率。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其特征在于在锗(Ge)单晶片为衬底依次生长底电池(p Ge，n Ge)，成核层(GaAs)，缓冲层(GaInAs)，势垒层(n GaInAs)，第一隧道结(n++AlGaAs，p++GaInAs)，势垒层(p+GaInAs)，第二结电池(p GaInAs，n GaInAs)，第一窗口层(n+AlGaInP/AlInAs)，第二隧道结(n++GaInAs，p++AlGaAs)，第二势垒层(p+GaInP)，第三结电池(p GaInP，n GaInP)，第二窗口层(n+A...
【专利技术属性】
技术研发人员：王智勇，尧舜，李建军，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：11
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