下载硅太阳能电池片的背电场结构的技术资料

文档序号:5272852

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本实用新型涉及一种硅太阳能电池片的背电场结构,该背电场的四个边角为圆弧连接,通过本设计显著降低了烧结过程中产生的应力,减少甚至消除了脱落。实践证明:运用这个设计后背场印刷质量得到有效提高,背场小边角脱落比例大大降低,由0.76%降低至0.0...
该专利属于常州天合光能有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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