形成具有低栅电阻的沟槽栅晶体管的结构及方法技术

一种场效应晶体管包括在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的体区，使得该体区与半导体区形成ｐ－ｎ结。沟槽延伸穿过体区并在半导体区中终止。第二导电类型的源区在邻近沟槽的体区上方延伸，使得该源区与体区形成ｐ－ｎ结。栅极介电层衬于每个沟槽的侧壁。金属衬里衬于每个沟槽中的栅极介电层。包含金属材料的栅电极设置在每个沟槽中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及半导体技术，并且更具体地涉及具有低栅电阻的沟槽栅(槽 栅，trench gate)场效应晶体管(FET)以及形成其的方法。
技术介绍
一般,η-沟槽栅功率(η-沟道槽栅功率，n-channel trench-gat印ower)MOSFET包 括η-型衬底，其上形成有η-型外延层。衬底包括有(embody) MOSFET的漏极(drain)。ρ-型 体区延伸到外延层中。沟槽延伸穿过体区并进入由体区和衬底界定的外延层的部分(通常 称为漂移区)。栅极介电层形成在每个沟槽的侧壁和底部上。源区在沟槽的侧面。重体区 形成在相邻源区之间的体区中。栅电极(例如，由多晶硅制成)填充沟槽并包括有MOSFET 的栅极。介质盖(dielectric cap)覆盖沟槽并且部分地在源区上延伸。顶侧金属层电接 触源区和重体区。底侧金属层接触衬底。已经良好记载了由于在这样的沟槽栅晶体管以及它们的屏蔽栅极变型中的栅电 阻降低导致晶体管性能提高。然而，至今提出的用于降低栅电阻的技术取得的成功很有限。 因此，对于低栅电阻沟槽化栅晶体管以及用于形成这样的晶体管的方法存在需要。专利技术内容根据本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管（ＦＥＴ），包括：在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的体区，所述体区与所述半导体区形成ｐ－ｎ结；延伸穿过所述体区并在所述半导体区中终止的沟槽；在邻近所述沟槽的所述体区上方的第二导电类型的源区，所述源区与所述体区形成ｐ－ｎ结；衬于每个沟槽的侧壁的栅极介电层；衬于每个沟槽中的所述栅极介电层的金属衬里；以及设置在每个沟槽中的包含金属材料的栅电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘南西，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]