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一种场效应晶体管包括在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的体区，使得该体区与半导体区形成ｐ－ｎ结。沟槽延伸穿过体区并在半导体区中终止。第二导电类型的源区在邻近沟槽的体区上方延伸，使得该源区与体区形成ｐ－ｎ结。栅极介电层衬于每个沟槽的侧...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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