【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般来说涉及电子装置，且更明确地说涉及与固态集成电路装置集成在一 起的双铜板电容器。
技术介绍
历史上，已通过减小装置尺寸实现了半导体装置性能改进。装置小型化趋势已进 展到当前集成电路(IC)经制作而具有深亚微米装置特征大小的状况。所述趋势越来越注重需要与小型化有源装置一起工作的离散无源组件的小型化。除减小的特征大小外，最近的趋势还集中在用铜替换常规铝来作为传导媒介。由 于集成电路中的导线宽度继续縮减，因此布线材料本身的导电率变得越来越重要。就 此而言，铝(其从集成电路技术开始以来就是精选材料)正变得不如例如金、银且尤 其是铜等导体吸引人。铜还比铝更能抵抗电迁移(即随导线宽度减小而变得重要的性 质)。电迁移是在电流流动中与静止原子碰撞的电子所引起的质量输运效应。所述碰 撞可沿电子流动的方向推动静止原子。电迁移的效应在窄通道(即，增加的电流密度 的区域)中最为显著且可导致接触空洞。由于铜优于铝的众多电优点，其已越来越多地应用于离散组件的形成中，最显著的是形成于基于半导体的ic的表面内或上面的离散电容器。铜提供改进的传导率及可靠性但不提供必须对铜层进行图案...
【技术保护点】
一种在衬底上形成一个或一个以上集成电路电容器的方法，所述方法包括： 在所述衬底中形成沟槽； 用第一铜阻挡层给所述沟槽加衬； 用第一铜层大致填充所述沟槽，所述第一铜层通过所述第一铜阻挡层而与所述衬底大致化学隔离； 在所述第一铜层上方形成第二铜阻挡层； 在所述第二铜阻挡层上方形成第一介电层，所述第一介电层通过所述第二铜阻挡层而与所述第一铜层大致化学隔离； 在所述第一介电层上方形成第三铜阻挡层；及 在所述第三铜阻挡层上方形成第二铜层，所述第二铜层是以非镶嵌工艺形成的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：以赛亚O奥拉德伊，艾伦卡思伯森，
申请(专利权)人：爱特梅尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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