具有双层底部电极的相变存储器制造技术

一种ＰＣＲＡＭ单元具有高电阻率底部电极盖以在所述单元与所述底部电极之间的界面附近提供部分加热，从而防止非晶ＧＳＴ区与所述底部电极分离，并降低编程电流要求。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及相变存储器，且具体来说，本专利技术涉及相变存储器电极。
技术介绍
相变随机存取存储器(PCRAM)是非易失形式的存储器，其使用在施加电流时在 非晶状态与结晶状态之间改变含有来自周期表的V族或VI族的一种或一种以上元素的 合金的状态的可逆过程，且其中所述两种状态具有大致不同的电阻。典型的电流相变存 储器使用硫族化物合金，例如锗-锑-碲(GeSbTe,或GST，最常见为Ge2Sb2Te5)合金。 材料的非晶(a-GST)和结晶(c-GST)状态具有非常不同的电阻率，大约为三个数量级， 使得较容易地完成对状态的确定。结晶状态具有大约为千欧姆(kQ)的典型电阻，而非 晶状态具有大约为兆欧姆(MQ)的典型电阻。所述状态在正常条件下是稳定的，因此 PCRAM单元是长久保留数据的非易失性单元。当GST处于其非晶状态时，其被称为复 位(RESET)。当GST处于其结晶状态时，其被称为设置(SET)。通过测量PCRAM单 元的电阻来读取PCRAM单元。如图1中所示的处于设置状态的典型垂直PCRAM单元100的结构包括底部金属 触点102、由介电材料106围绕的底部电极104、具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器单元，其包含：　底部电极，其具有第一材料的下部和第二材料的上部，所述第一材料具有大致比所述第二材料低的电阻率；　相变材料，其位于所述底部电极的顶部上；以及　顶部电极，其位于所述相变材料上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]