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具有双层底部电极的相变存储器制造技术
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下载具有双层底部电极的相变存储器的技术资料
文档序号:5456029
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一种PCRAM单元具有高电阻率底部电极盖以在所述单元与所述底部电极之间的界面附近提供部分加热,从而防止非晶GST区与所述底部电极分离,并降低编程电流要求。...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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