一种无机半导体硒化镉纳米管结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种制备无机半导体硒化镉纳米管结构的方法，它包括以下步骤：（１）按照气流的流动方向在管式炉的石英管中依次放置苝粉末、硒化镉粉末和硅片，其中硅片用耐高温胶固定在内壁上侧，气流为待送入石英管中的惰性气体；（２）在石英管中通入惰性气体，当石英管中完全处于惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时，控制管式炉按预定速率升温至制备纳米管结构所需温度，然后恒温预定时间以使反应充分进行，然后自然冷却降温，在硅片的基面上得到无机半导体硒化镉纳米管结构。采用本发明专利技术方法能够制备得到形貌均一且新奇的ＣｄＳｅ纳米管材料。该ＣｄＳｅ纳米管材料具备良好的阴极射线发光性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种无机半导体硒化镉纳米管结构，其特征在于：在基层上沉积的纳米材料为纳米管结构，所述的纳米管结构的径向横截面为正六边形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张蒙，钱震，宋辉，王志文，张媛，刘文，王海国，刘楠，梁莹，袁学民，孙世谦，曹振岩，孙艳行，
申请(专利权)人：中国天辰工程有限公司，天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]