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本发明公开了一种制备无机半导体硒化镉纳米管结构的方法，它包括以下步骤：（１）按照气流的流动方向在管式炉的石英管中依次放置苝粉末、硒化镉粉末和硅片，其中硅片用耐高温胶固定在内壁上侧，气流为待送入石英管中的惰性气体；（２）在石英管中通入惰性气体...该专利属于中国天辰工程有限公司;天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国天辰工程有限公司;天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司授权不得商用。