【技术实现步骤摘要】
一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu2_xSe阵列的方法
本专利技术属于纳米CivJe阵列的制备领域，特别涉及一种采用水热法在铜基底上制 备纳米CivJe阵列的方法。
技术介绍
近年来，各种形式的半导体纳米材料因其在超高速的光运算、集成电路、太阳能电 池以及发光显示等领域广阔的应用，越来越受到科学工作者广泛的研究兴趣。其中，由于金 属材料具体廉价，可再生，可以直接进行器件研制等优点，在金属基底上原位生长纳米材料 阵列有着非常现实的工业应用前景(Acc. Chem. Re. 2009，42，1617.)。Cu2_xSe不仅是一种良好的P型半导体材料，而且具有可见光吸收、光致发光、大的 3阶非线性极化率和快的3阶非线性响应速率等光学特性，被广泛地应用于发光二极管、光 催化剂和电化学电池及太阳能电池等方面。近年来，关于米结构的制备方法报 道很多，如电化学沉积法(J. Phys. Chem. C，2009，112，10833)、模板法(Chem. Mater.，2006， 18，3323)、胶体化学法(J. Mater. Chem.，2009，19，6201)等，但这些方法普遍存在着成本较 高、使用有毒的有机溶剂、规模化生产较困难等问题。目前，虽然已经有水热法制备一维 Cu2^xSe纳米线的报道，但是金属基底上制备和控制一维和二维的Cuk2_x纳米阵列仍是一个 挑战。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种采用水热法在铜基底上制备纳米Civje 阵列的方法，本专利技术操作简单，设备要求低，可以规模化生产，且所制备的无接触电阻、直接 在铜基底上生长纳米Cu...
【技术保护点】
一种采用水热法在铜基底上制备纳米Ｃｕ２－ｘＳｅ阵列的方法，包括：（１）将铜基底放入１０～４０ｗｔ％浓盐酸中浸泡１秒钟～１０分钟，用去离子水洗涤表面，再将其在有机溶剂Ａ中超声洗涤１分钟～１小时，烘干后备用；（２）将硒粉按摩尔比１∶１～１∶５超声溶解在氢氧化钠或氢氧化钾溶液中，，得到硒粉氢氧化钠或氢氧化钾溶液；（３）将经步骤（１）处理后的铜基底与步骤（２）得到的溶液混合于容器中，加入１～２０ｍｌ生长导向剂，然后添加去离子水或有机溶剂Ｂ至容器体积的４／５～２４／２５，于２０～２００℃反应０．５～５０小时；待反应结束，取出铜基底，用乙醇洗涤，干燥后，即得到在铜基底上的纳米Ｃｕ↓［２－ｘ］Ｓｅ阵列。
【技术特征摘要】
1.一种采用水热法在铜基底上制备纳米Civje阵列的方法，包括(1)将铜基底放入10 40Wt%浓盐酸中浸泡1秒钟 10分钟，用去离子水洗涤表面， 再将其在有机溶剂A中超声洗涤1分钟 1小时，烘干后备用；(2)将硒粉按摩尔比1 1 1 5超声溶解在氢氧化钠或氢氧化钾溶液中，，得到硒 粉氢氧化钠或氢氧化钾溶液；(3)将经步骤(1)处理后的铜基底与步骤( 得到的溶液混合于容器中，加入1 20ml 生长导向剂，然后添加去离子水或有机溶剂B至容器体积的4/5 M/25，于20 200°C反 应0. 5 50小时；待反应结束，取出铜基底，用乙醇洗涤，干燥后，即得到在铜基底上的纳米 Cu2_xSe 阵列。2.根据权利要求1所述的一种采用水热法在铜基底上制备纳米Cu2_je阵列的方法，其 特征在于所述步骤(1)中的铜基底表...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡俊青，陈海华，陈辉辉，王娜，邹儒佳，余利，张震宇，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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