磁记录介质的制造方法以及磁记录和再现装置制造方法及图纸

一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底的至少一个 表面上沉积磁性层；以及在所述磁性层中部分地注入原子，从而使已经接 受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形。 所述注入的步骤包括以下步骤：在所述沉积步骤之后对所述至少一个表面 施加抗蚀剂，部分地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂 的表面，从而通过所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分注入到 所述磁性层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于硬盘驱动器中的磁记录介质的制造方法，并且涉及磁 记录和再现装置。
技术介绍
近些年来，随着诸如磁盘驱动器、柔性盘驱动器和磁带驱动器的磁记 录装置极大地扩张了它们的用途范围并且显著收益，已经致力于使得在这 些装置中使用的磁记录介质在记录密度方面的显著改善。特别地，由于磁 阻(MR)磁头和部分响应最大似然(PRML)技术的引入，表面记录密 度的增加进一步剧烈增长。由于近些年来巨磁阻(GMR)磁头和隧穿磁阻 (TMR)磁头的进一步引入，该增长维持在每年约100%的速度。迫切要 求这些磁记录介质在将来达到更高的记录密度以及它们的磁记录层实现矫 顽力、信噪比(SNR)和分辨率的提高。近些年来已经见证了为了提高线 性记录密度以及通过增加磁道密度来提高表面记录密度的目的而持续做出 的努力。在最新的磁记录装置中，磁道密度已经达到110kTPI。随着磁道密度 进一步增加，趋向于必然伴有诸如导致磁记录在相邻磁道中的信息的部分 之间的干扰以及在边界线区域中引发磁化迁移区域以致构成噪声源且削弱SNR的问题。因为其直接导致降低比特误差率，所以这种情形阻碍记录密 度的增加。为了增加表面记录密度，有必要使磁记录介质上的单独记录位以尽可 能小的尺寸形成且使得其能够确保可容许的大饱和磁化以及磁性膜厚度。 然而，随着记录位的尺寸的进一步减小，它们趋向于必然伴有诸如减小每 个位的最小磁化体积以及引发所记录数据通过由热波动造成的磁化反转而 消失的问题。此外，因为磁道间距变小，磁记录装置使极高精确度的磁道伺服技术 成为必要，且同时，为了尽最大可能消除来自相邻磁道的影响，通常需要 采用以大的宽度执行记录且以比记录期间小的宽度执行再现的方法。虽然 这种方法能够将相邻》兹道之间的影响抑制到最小值，但是其必然伴有诸如 使得再现输出的充分采集(acquisition)困难以及因此导致难于确保足够 的SNR的问题。作为应付热波动问题以及实现预期的SNR或充分输出的采集的方法， 通过沿着记录介质的表面上的磁道形成凹凸且因此使相邻磁道相互物理分 离来提高磁道密度的尝试正在进行。下文中，将该技术称为离散磁道技 术，并将通过该技术制成的磁记录介质称为离散磁道介质。作为离散磁道介质的一个实例，已知一种磁记录介质，其形成在表面 上设置有凹凸图形的非磁性基底上，并能够获得物理分离的磁记录磁道和 伺服信号图形(参考例如JP-A 2004-164692)。这种磁记录介质具有经由软磁性层形成在基底表面上的铁磁性层且具 有形成于铁磁性层表面上的保护膜,其中该基底在其表面上具有多个凹凸。 这种磁记录介质在其凸起区域中形成了与周围磁性分离的磁记录区域。根据这种磁记录介质，认为可以形成不发出大噪声的高密度磁记录介 质，这是因为可以抑制软磁性层中的磁壁出现的事实导致防止容易地出现 热波动的影响且使得相邻信号之间的干扰消失。已知有两种离^t磁道技术，即在形成由若干层叠的薄膜组成的磁记录 介质之后形成磁道的方法以及直接在基底表面上或在为形成磁道而准备的5薄膜层上形成凹凸图形之后形成薄膜磁记录介质的方法。(参考例如JP-A 2004-178793和JP-A 2004-178794)。通常被称作磁性层处理型方法的前 一种方法的缺点在于使介质在制造期间容易遭受污染，且由于其需要在 形成介质之后对表面执行物理加工，因此使得制造工艺非常复杂。通常被 称作压刻(emboss)处理型方法的后一种方法，虽然不容易在制造过程期 间引发污染，但其缺点在于由于形成在基底上的凹凸形状注定会继续存 在于将要形成的膜上，不能使适于在介质上浮动的同时执行记录和再现的 记录和再现^t头的浮动姿势和浮动高度稳定。已公开了这样一种方法，其通过在预形成的磁性层中注入氮离子或氧 离子或者辐照激光，形成介于离散磁道介质的磁道之间的区域(参见JP-A HEI 5-205257)。然而，虽然具有低饱和磁化强度，但由于高矫顽力，通 过该方法形成的磁道之间的区域遭受不充分磁化状态的残余之苦，并且， 这些区域还招致在写入磁道中的数据中诱导模糊部分的麻烦。此外，在使得磁记录图形以每个位具有限定的规则性的方式设置的所 谓的构图的介质的制造中，已公开了通过由离子辐照引起的蚀刻或者通过 使得磁性层非晶化来形成磁记录图形(参见Technical Report of IEICE， MR2005-55 (2006-2)， pp. 21-26 (The Institute of Electronics, Information and Comimmication Engineers)和美国专利No. 6，331，364 )。然而，该方 法必然伴有在制造过程期间磁记录介质受到污染且其表面平坦度降低的问 题、以及利用离子的辐照没有引起对磁性层的充分去磁和利用离子的辐照 造成对磁性层的损伤且导致其表面平坦度降低的问题。在面临由于记录密度增加而引起的技术困难的磁记录装置中，本专利技术 旨在在将记录和再现特性保持在至少常规水平之上的同时，消除磁记录期 间的数据才莫糊现象，且因此通过显著增加记录密度以及尽最大可能抑制剩 余磁化以及在磁记录图形部分之间的区域中的矫顽力，来增加面记录密度。 特别地，相对于在基底上沉积磁性层之后产生波动的离散磁道型磁记录介 质，本专利技术预期提供一种通过不包括对磁性层去磁的步骤且排除显著污染 的发生来决定性地简化制造工序的制造方法、以4面平滑度高且浮力特性优良的有用的磁记录介质。
技术实现思路
为了解决上述问题，专利技术人持续努力研究，从而完成了本专利技术。 作为其第一方面，本专利技术提供一种制造磁记录介质的方法，其包括以下步骤在非磁性基底的至少一个表面上沉积磁性层；以及在所述磁性层 中部分地注入原子，从而使所述磁性层的已经接受注入的原子的部分去磁 或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形，其中所述注入的步骤包 括以下步骤在所述沉积步骤之后对所述至少一个表面施加抗蚀剂，部分 地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂的表面，从而通过 所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分地注入到所述磁性层。在本专利技术的包括根据第 一方面的制造磁记录介质的方法的第二方面 中，通过将形成于压模(stamp)表面上的凹凸形状转移到所述抗蚀剂的 表面，实现所述部分地减小所述抗蚀剂的厚度的步骤。在本专利技术的包括根据第一方面的制造磁记录介质的方法的第三方面 中，通过部分地蚀刻所述抗蚀剂的表面，实现所述部分地减小所述抗蚀剂 的厚度的步骤。在本专利技术的包括根据第一方面的制造磁记录介质的方法的第四方面 中，所述抗蚀剂的厚度减小的部分的厚度在lnm至150nm的范围内。在本专利技术的包括根据第一方面的制造磁记录介质的方法的第五方面 中，所述抗蚀剂的厚度减小的部分的宽度为100nm以下，而所述抗蚀剂的 其它部分的宽度为2000nm以下。本专利技术的包括根据第一方面的制造磁记录介质的方法的第六方面还包 括在所述施加抗蚀剂的步骤之前在所i^磁性层上形成保护层的步骤，其中 在所述保护层上施加所述抗蚀剂。在本专利技术的包括根据第一方面的制造磁记录介质的方法的第七方面 中，被注入的原子是选自B、 P、 Si、 F、 N、 H、 C、 In、 Bi、 Kr、 Ar、 Xe、 W、 As本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：　在非磁性基底的至少一个表面上沉积磁性层；以及　在所述磁性层中部分地注入原子，从而使已经接受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形；　其中所述注入的步骤包括以下步骤：在所述沉积所述磁性层的步骤之后对所述至少一个表面施加抗蚀剂，部分地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂的表面，从而通过所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分地注入到所述磁性层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.8.28 JP 230194/20061. 一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤在非磁性基底的至少一个表面上沉积磁性层；以及在所述磁性层中部分地注入原子，从而使已经接受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形；其中所述注入的步骤包括以下步骤在所述沉积所述磁性层的步骤之后对所述至少一个表面施加抗蚀剂，部分地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂的表面，从而通过所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分地注入到所述磁性层。2. 根据权利要求l的制造磁记录介质的方法，其中通过将形成于压模表面上的凹凸形状转移到所述抗蚀剂的表面，实现所述部分地减小所述抗蚀剂的厚度的步骤。3. 根据权利要求l的制造磁记录介质的方法，其中通过部分地蚀刻所述抗蚀剂的表面，实现所述部分地减小所述抗蚀剂的厚度的步骤。4. 根据权利要求l的制造磁记录介质的方法，其中所述抗蚀剂的厚度减小的部分的厚度在lnm至150nm的范围内。5. 根据权利要求l的制造磁记录...

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛正人，坂胁彰，广濑克昌，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP