【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对在闪速存储器内写入数据进行管理的系统和方法。它特别涉及使意 欲(intended to)嵌入电子令牌内的闪速存储器个性化(personalization)的系统和方法。
技术介绍
嵌入在电子令牌内的闪速存储器具有越来越大的存储容量。因此在个性化步骤期 间写入这些闪速存储器的数据量显著地增加。例如，这些存储器的存储容量可能达到几兆 字节并且在未来的几年内应该能达到几吉字节。控制器单元与闪速存储器相连。控制器对 存储在闪速存储器内的数据的存取进行管理。所有流入和流出的数据流由控制器处理。控 制器负责逻辑地址与物理地址之间的转换。嵌入在类似智能卡的电子令牌内的控制器可以通过几种物理接口访问IS0触 点、单导线协议(SWP)或USB。USB接口提供了比其它两种接口更好的流量能力(flow capacity)。然而控制器性能是受到限制的并且在接口(例如USB接口)提供高速数据流 时可能成为瓶颈。因此组合控制器/USB接口可能会对写入被个性化的存储器的数据流产 生限制。而且若干闪速存储器可能连接到唯一的控制器。在这种情况下，控制器必须管理 所有与相连的存储器...
【技术保护点】
一种管理第一闪速存储器（ＭＥＭ）内的写入操作的方法，该第一闪速存储器（ＭＥＭ）意欲被嵌入电子令牌，所述第一闪速存储器（ＭＥＭ）具有包含多个连接焊盘的接口，并且被附着在引线框（ＬＦ）上，其特征在于所述方法包含下列步骤：－在引线框（ＬＦ）上生成（Ｓ５）一组接触区域（ＡＬＥ、ｎＷＥ、Ｉ／Ｏ０、Ｉ／Ｏ７、ＶＣＣ、ＧＮＤ），每个所述接触区域意欲直接与第一闪速存储器（ＭＥＭ）的一个连接焊盘结合，－获得（Ｓ７）对存储器接口的控制，－通过接触区域（ＡＬＥ、ｎＷＥ、Ｉ／Ｏ０、Ｉ／Ｏ７、ＶＣＣ、ＧＮＤ）向存储器接口发送（Ｓ１０）物理数据（ＰＤ），－将物理数据（ＰＤ）写入（Ｓ１１）第一闪速存储器...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2007-8-31 07291055.7一种管理第一闪速存储器(MEM)内的写入操作的方法，该第一闪速存储器(MEM)意欲被嵌入电子令牌，所述第一闪速存储器(MEM)具有包含多个连接焊盘的接口，并且被附着在引线框(LF)上，其特征在于所述方法包含下列步骤-在引线框(LF)上生成(S5)一组接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND)，每个所述接触区域意欲直接与第一闪速存储器(MEM)的一个连接焊盘结合，-获得(S7)对存储器接口的控制，-通过接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND)向存储器接口发送(S10)物理数据(PD)，-将物理数据(PD)写入(S11)第一闪速存储器(MEM)，-通过打孔操作从引线框(LF)去除(S12)该组接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND)。2.如权利要求1所述的方法，其中逻辑数据(LD)存储在第二存储器(ME2)内并且其中 所述方法包含下列步骤-读取(S8)附着在引线框(LF)上的所述第一闪速存储器(MEM)内的坏块数据(BB)，-从坏块数据(BB)和逻辑数据(LD) 二者生成(S9)物理数据(PD)。3.如权利要求2所述的方法，其中在第三存储器(ME3)内存储初始数据(ID)，其中在 第四存储器(ME4)内存储参数数据(PA)，并且其中所述方法包含下列步骤-从初始数据(ID)和参数数据(PA) 二者生成(Si)逻辑数据(LD)。4.如权利要求3所述的方法，其中参数数据(PA)取决于所述第一闪速存储器(MEM)的 类型。5.如权利要求3或4所述的方法，其中所述第一闪速存储器(MEM)意欲由控制器单元 (CC)访问并且其中参数数据(PA)取决于控制器单元(CC)的类型。6.如前述权利要求之一所述的方法，其中所述方法在写入物理数据(PD)的步骤(Sll) 之后包括下列步骤-在引线框(LF)上附着(S2c)控制器单元(CC)，-粘合(S3c)控制器单元(CC)，-用树脂涂覆(S4)控制器单元(CC)和第一闪速存储器(ME...
【专利技术属性】
技术研发人员：P格拉维茨，P古格纳德，FX马塞尔，M蒂尔，
申请(专利权)人：格马尔托股份有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。